氧化镓被认为是第四代半导体的重要代表材料，具有超宽禁带、高击穿电场等优势，在新能源汽车、智能电网、光伏储能、轨道交通、AI算力中心、商业航天及国防等领域拥有广阔应用前景。
在晶体生长方面，公司自主研发全球首创的铸造法长晶技术，可稳定生长超厚氧化镓单晶，并结合自主超薄衬底加工工艺，使单块晶体的衬底出片量提升至原来的3至4倍。同时，该工艺大幅降低了贵金属铱的使用量，使衬底制造成本下降80%以上。
在外延制造方面，镓仁半导体针对6英寸（100）面氧化镓衬底开发了专用MOCVD外延工艺，成为全球首家实现6英寸氧化镓同质外延商业化供货的企业。其生产的同质外延片外延层厚度超过10微米，膜厚均匀性优异，厚度方差控制在1%以内。
目前，公司已获得多家海外企业及科研机构订单，部分合作客户已开展长期稳定采购。
免责声明：文章内容基于多方消息和公开资料整理，发布/转载只作交流分享，不作投资建议。如有异议请及时联系，谢谢。
推荐阅读：
