中国存储芯片股大涨，SK 海力士赴美上市提振市场信心
周一，受韩国存储芯片巨头 SK 海力士即将在美国上市的消息刺激，中国存储芯片相关股票大幅上涨，深圳佰维存储（Shenzhen Longsys Electronics Co Ltd）领涨。该股早盘涨幅一度达 13%，最终收报 681.8 元（约合 100 美元）。其他存储芯片股亦跟随上涨，深科技（CECport）触及涨停，长电科技（JCET）等公司股价Advance。
SK 海力士定于周五在纳斯达克挂牌交易，预计募资约 290 亿美元，这或将成为外国企业在美规模最大的 IPO。此次上市将通过美国存托凭证（ADR）进行，股票代码为"SKHY"，旨在缩小其与美国竞争对手美光科技（Micron Technology）之间的估值差距。
市场需求激增，存储芯片进入超级周期
此次上市恰逢存储芯片市场爆发式增长。市场调研机构 Gartner 预测，2026 年全球芯片销售额将接近 9 万亿元人民币，同比增长 64%，其中存储芯片销售额预计约为 4.3 万亿元。
TrendForce 最新内存价格调查显示，第三季度 DRAM 市场供应将极度紧张，合约价预计环比上涨 13% 至 18%；NAND Flash 合约价预计环比上涨 10% 至 15%。DRAM 和 NAND 是广泛应用于智能手机、PC、平板电脑等数字产品的关键存储芯片。
TrendForce 指出，虽然人工智能推理和数据中心部署持续推动需求，但由于 PC 和智能手机消费者对价格的承受能力已达上限，涨幅较前几个季度有所缓和。然而，AI 仍是核心驱动力，内存供应商正将产能转向高利润的服务器产品，限制了消费级领域的供应，从而在 PC 和智能手机需求减弱的情况下仍维持高价。
全球供应短缺叠加 AI 对高带宽内存（HBM）的强劲需求，共同推动了这一轮存储芯片“超级周期”。
国产存储崛起，对标国际巨头
与此同时，中国本土存储产业虽与西方领导者仍有差距，但已取得显著进展。中国最大的 DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT Corp）预计将于今年晚些时候启动 IPO；中国唯一具备端到端 3D NAND Flash 芯片制造能力的长江存储（Yangtze Memory Technologies）的上市计划也已获批准。
精品投行香颂资本董事沈萌表示，市场观察者正密切关注 SK 海力士在纳斯达克的表现，将其视为这两家中国企业 IPO 的重要参考。
Gartner 研究副总裁盛陵海指出，中国存储芯片企业已取得重大进步，但在先进技术和产能方面，中国龙头企业与全球同行之间仍存在显著差距，这也意味着巨大的扩张空间。
记者：马思
