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NAND 供需预测更新：AI 需求拉长紧缺周期，行业分化加剧
摩根士丹利最新报告指出，全球 NAND 市场正呈现 AI 与消费市场显著分化的格局。核心判断认为，AI 需求的爆发将延长存储行业的紧缺周期。
AI 驱动供需缺口扩大
测算数据显示，AI 相关 NAND 需求预计在 2027 年同比增长 60%，届时供需缺口将达 9%。具体来看，市场将从 2025 年的轻微过剩（2%）迅速转为 2026 年的严重短缺（15%），并持续至 2027 年。AI 在 NAND 总需求中的占比也将大幅提升，从 2025 年的 18% 攀升至 2027 年的 41%。
展望 2028 年，节点迁移和新厂扩张可能部分缓解供给紧张。在基准情形下，即便 AI NAND 年增 60%，短缺率仍约为 5%。报告特别强调两个关键变量：一是长江存储若加速五座晶圆厂产能扩张（从基准 310kwpm 增至最大 470kwpm），将显著改变全球供给格局；二是面向 AI 推理的“超高 IOPS"SSD 若量产，单颗产能消耗将是普通 SSD 的 3 倍，将进一步收紧供应。
市场表现：服务器强劲，消费端承压
服务器领域需求保持强劲，长期供应协议（LTA）为定价提供了有力支撑。反观消费端，模组厂和分销商库存水平上升，智能手机和 PC 客户面临销量与利润率的双重压力。2026 年第二季度涨价后已出现订单削减，显示消费类产品定价接近天花板。由于供应商产能向云服务商（CSP）倾斜，消费类销量持续低迷。价格方面，2026 年第三季度 TLC eSSD 环比上涨 30%，而消费级 NAND 仅小幅跟涨。
DRAM 市场动态
DRAM 方面，服务器级产品预计 2026 年第三季度环比上涨 20%。受供给收紧及 AI 需求拉动，DDR3/4 等传统 DRAM 环比涨幅高达 30%-40%。渠道调研显示，中国部分分销商的消费级（PC、手机）库存偏高，而服务器产品依然紧俏。
投资策略建议
摩根士丹利维持对存储器周期的看多立场，偏好拥有 LTA 支持的供应商，因其估值扩张和股东回报更具确定性。战术配置上更青睐 DRAM 而非 NAND，主要基于 DRAM 更优的 LTA 条款、更高的需求能见度、EUV 技术带来的供给纪律，以及 HBM4E 可能产生的产能挤占效应。
报告节选
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