玻璃基板：下一代先进封装与 CPO 技术的关键材料
随着 AI 算力需求呈指数级增长，传统硅基封装技术逐渐触及物理极限。凭借优异性能，玻璃基板成为下一代先进封装及共封装光学（CPO）技术的核心发展方向。
行业领军者台积电已正式发布 CoPoS（Chip on Panel on Substrate）技术。该方案采用玻璃中介层，利用 310mm×310mm 玻璃面板进行加工。相较于传统的 300mm 晶圆加工，面板级加工将基板面积效率从 50% 提升至 88%，显著优化了量产成本与加工效率，直接对标其成熟的 CoWoS 技术。
产业化进程方面，台积电计划于 2026 年在中国台湾嘉义建成首条 CoPoS 中试线，预计 2028 年至 2029 年逐步量产。英特尔亦在玻璃基板领域布局，其 EMIB 封装技术采用“按需连接”方式，在有机基板中嵌入高密度硅桥，避免全幅硅中介层的使用，从而保持 I/O 平衡和电源完整性，提升制造效率。此外，康宁推出的 GlassBridge 技术针对光纤与光芯片耦合环节，通过边缘耦合直接连接光纤与光引擎，预计将大幅提升 CPO 生产良率，降低对传统光纤阵列单元（FAU）的依赖，推动 CPO 规模化量产。
陶瓷基板：缓解 AI 服务器散热瓶颈的刚需材料
在 1.6T 及更高速率光模块时代，散热与精密封装已成为决定产能、良率及交付周期的核心瓶颈。光模块内部激光器、DSP 芯片及光引擎三大热源叠加，导致热流密度高且温度分布不均，传统散热方案难以应对。在此背景下，氮化铝（AlN）陶瓷基板从“可选配件”升级为高速光模块的刚需材料，迎来量价齐升与国产替代的双重机遇。
行业预测显示，2026 年下半年 1.6T 光模块将批量上量，渗透率快速超越 800G；2027 年 3.2T 光模块将进入小规模试点商用阶段。随着速率翻倍，功耗与热流密度呈指数级上涨，传统氧化铝陶瓷彻底失效，氮化铝成为唯一可行的替代方案。具体应用包括：Micro-TEC 氮化铝制冷陶瓷，用于解决 1.6T EML 激光器超高发热问题，其导热效率较传统铝制散热基座提升 5 倍，保障光芯片长期稳定工作；LTCC 低温共烧陶瓷封装，面向高密度阵列光器件，实现多层布线与小型化，适配多通道集成光模块，有效降低电磁干扰并缩小模组体积。
产业链重点环节与投资方向
PCB 领域头部企业产能扩张全面提速，资本开支大幅增长，高端产能已满负荷运转。随着 Rubin 系列及谷歌 G 客户新品在 2026 年三季度快速放量，AI PCB 业务收入占比预计将进一步提升至 60%-70%。同时，高频高速覆铜板（CCL）供应商因向 AI 大客户渗透高端产品，采购额度大幅上调，验证了供应链景气度的超预期增长。
在玻璃基板设备领域，TGV（玻璃通孔）设备已进入全球主链，成为相关企业估值重塑的核心驱动力。陶瓷基板领域则受稀土管制及海外龙头减产影响，全球高纯氮化铝供应紧张，为国内具备全流程自制能力的覆铜陶瓷载板厂商创造了潜在的替代窗口期。综合来看，AI 建设已成行业共识，PCB、玻璃基板、陶瓷基板已成为确定性较高的投资方向。