玻璃基板凭借低热膨胀系数、高机械强度、优异电气隔离性能及低高频信号损耗等优势，正成为先进封装材料的下一代核心选择。其应用场景已从新型显示向半导体先进封装及光通信领域加速延伸。在先进封装中，玻璃基板可替代硅中介层和有机基板，结合板级封装工艺，显著提升晶圆利用率、传输速率与带宽密度。在光通信领域，康宁研究团队指出，玻璃基板表面可制备光波导电路，实现光 - 电协同高密度集成，是支撑 102.4 Tbps 及以上带宽 CPO 应用的关键技术路径。
受 AI 算力需求驱动，产业巨头纷纷加码布局，玻璃基板产业化进程提速。英特尔已实现大层数厚玻璃核心基板制造及光波导共集成；台积电积极推进 CoPoS 封装技术，其中试线已于 2026 年 2 月启动设备交付，预计 2028 至 2029 年实现量产。此外，英伟达、苹果、三星、LG 等厂商亦密集布局，玻璃基板商业化落地进入倒计时。
TGV（玻璃通孔）加工是玻璃基板制造的核心环节，涵盖钻孔、填充及高密度布线三大工艺难点。目前主流工艺挑战集中于：一是通孔成孔，激光诱导刻蚀法有望成为制造高深宽比、窄间距高质量通孔的主流方案；二是通孔填充，针对玻璃表面光滑、金属粘附性差的问题，需采用自下而上、蝶形、共形或孔内壁电镀等填充技术；三是高密度布线，需借助线路转移（CTT）、光敏介质嵌入（PTE）及 mSAP 等工艺突破有机或硅材料限制。
一、玻璃基板：先进封装的下一代材料，产业巨头加码入局
（一）优势显著：从新型显示向半导体与光通信延伸
相较于传统硅基及有机物基板，玻璃基板具备六大核心优势：一是成本低廉，得益于大尺寸超薄面板易获取且无需沉积绝缘层，其转接板成本仅为硅基的 1/8；二是高频电学特性优异，介电常数约为硅的 1/3，损耗因子低 2~3 个数量级，有效降低衬底损耗与寄生效应；三是大尺寸超薄衬底易于量产，康宁、肖特等厂商已具备 2m×2m 以上超大尺寸及 50μm 以下超薄玻璃量产能力；四是工艺流程简化，无需在衬底及 TGV 内壁沉积绝缘层，且超薄转接板免二次减薄；五是机械稳定性强，厚度小于 100μm 时翘曲度依然可控；六是应用领域广泛，除高频场景外，其透明、气密及耐腐蚀特性在光电系统集成与 MEMS 封装领域前景广阔。
玻璃基板主要应用于取代硅/有机基板及中介层，覆盖面板与 IC 等泛半导体领域。
1. 新型显示领域：Mini/Micro LED 渗透加速
玻璃基板在 Mini/Micro LED（MLED）领域的应用已获验证。COG（Chip on Glass）技术将 LED 芯片直接封装于 TFT 玻璃基板，相比 PCB 基板，具有导热率高、散热性强、热膨胀率低等优势，能满足高密度焊接与复杂布线需求。其高平坦度降低了芯片转移难度，高刚性则保障了多单元拼接精度，减少拼缝问题。
沃格光电年报显示，玻璃基 Mini LED 凭借低胀缩、高平整度特性，更适配高端 COB 封装，在高分区、窄边框及车载显示的大屏化、轻薄化趋势中表现优异。京东方已实现玻璃基 Mini LED 旗舰产品（55"-86"TV）量产商用，支持大尺寸整板拼接。在 Micro LED 直显领域，针对芯片微缩带来的高热密度问题，玻璃基板优异的散热与低膨胀特性有效规避了 PCB 基板的翘曲风险。京东方与 TCL 华星均已布局玻璃基 Micro LED 直显产品，其中京东方 COG 产品点间距达 0.9mm，TCL 华星则展示了 125"透明直显产品，加速替代传统 PCB 方案。
2. 半导体先进封装领域：替代硅基的下一代方案
作为先进封装材料体系的重要发展方向，玻璃基板正逐步确立其作为硅基材料替代方案的地位，旨在突破现有封装技术在互连密度与传输性能上的瓶颈。
（报告来源：广发证券。本文仅供参考，不代表任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）