存储巨头扩产，拟投入93亿美元发力HBM

美光日本工厂扩建奠基，押注 AI 存储赛道

当地时间 2026 年 7 月 4 日，美光科技（Micron Technology）在日本广岛县东广岛市工厂举行扩建工程动土仪式。该项目总投资达 1.5 万亿日元（约合 93 亿美元），旨在量产包括 HBM4E 在内的下一代高带宽存储器（HBM），以应对人工智能浪潮带来的激增需求。

作为英伟达等 AI 芯片巨头的关键供应商，美光计划于 2028 年下半年引入设备并扩大产能，预计同年夏季实现商业出货。广岛工厂将是美光全球 AI 存储布局的核心支点，依托日本完善的半导体供应链，专门面向全球 AI 芯片厂商供货，并同步支撑自动驾驶及高端数据中心存储芯片的量产。

日本政府对此提供了强有力的财政支持。日本经济产业省（METI）承诺为该项目提供最高 5000 亿日元的资本成本补贴。若计入此前的研发支持资金，政府总资助额已达约 7750 亿日元，承担了新项目近一半的投资成本。

美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 在仪式上强调，广岛是美光首批 AI 核心存储技术 HBM 晶圆的制造地，凸显了该基地在全球战略中的关键地位。

SK 海力士同步扩产，韩日竞逐存储高地

与此同时，韩国存储巨头 SK 海力士也于 7 月 2 日公布大规模扩张计划。该公司宣布将在韩国清州市投资 80 万亿韩元（约合 514.6 亿美元）新建"M17"先进 NAND 闪存工厂，预计 2027 年动工、2029 年上半年投产，以缓解 AI 算力需求引发的芯片短缺。

此外，SK 海力士还计划额外投入 20 万亿韩元在清州建设先进封装设施。美光与 SK 海力士的接连动作，标志着全球存储大厂正加速产能布局，以抢占 AI 时代的市场先机。