美光科技广岛工厂扩建奠基，押注 AI 存储未来
当地时间 2026 年 7 月 4 日，美光科技（Micron Technology）在日本广岛县东广岛市的工厂举行扩建工程动土仪式。该项目总投资达 1.5 万亿日元（约合 93 亿美元），旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进 DRAM 芯片，以应对人工智能浪潮带来的强劲需求。
广岛工厂是美光于 2013 年收购破产的日本尔必达存储器公司（Elpida Memory Inc.）后接管的成熟制造基地。此次扩建的核心任务是量产下一代 HBM（如 HBM4E 等），这类芯片是英伟达等科技巨头 AI 处理器的关键组件。根据规划，新设施将于 2028 年下半年引入制造设备并逐步扩产，预计同年夏季实现商业出货。
日本政府提供空前财政支持
为支持这一重大半导体供应链项目，日本政府提供了力度空前的资金援助。日本经济产业省（METI）承诺为该项目资本成本提供最高 5000 亿日元的补贴。若计入此前已承诺的研发支持资金，政府对美光在日运营的总资助额已达约 7750 亿日元，承担了此次新项目近一半的投资成本。
美光 CEO：广岛是全球 AI 存储产能核心支点
美光科技首席执行官 Sanjay Mehrotra 在仪式上表示，美光首批用于 AI 核心存储技术的 HBM 生产晶圆即在广岛制造。依托日本本地完备的半导体材料与设备供应链，该厂区已成为企业全球 AI 存储产能布局的核心支点，扩建完成后将专门面向全球 AI 芯片厂商供应新一代产品，并同步支撑自动驾驶及高端数据中心存储芯片的量产。
竞品动态：SK 海力士公布巨额扩产计划
面对 AI 算力需求暴涨导致的存储芯片短缺，韩国存储巨头 SK 海力士（SK hynix）也于本月早些时候（7 月 2 日）公布了大规模产能扩张蓝图。该公司宣布计划在韩国忠清北道清州市投资 80 万亿韩元（约合 514.6 亿美元），新建一座名为"M17"的先进 NAND 闪存芯片工厂。该项目预计 2027 年破土动工，2029 年上半年投产。此外，SK 海力士还将额外投资 20 万亿韩元在清州建设先进封装设施。