不靠EUV光刻机，国产芯片的“堆叠突围战”

最近韩媒的一则报道，让半导体圈又热闹了起来。

据韩国媒体爆料，长鑫存储正在合肥秘密启动一条最先进的研发生产线，项目核心目标是在不使用EUV光刻机的情况下，实现高性能DRAM的制造。这项技术被韩媒称为“存储半导体领域的颠覆者”。

说白了，就是在光刻机被卡脖子的情况下，靠堆叠和封测来换性能。

一、没有EUV，长鑫怎么玩？

大家都知道，EUV光刻机被美国死死卡住，ASML的东西根本进不来。长鑫现在主力产线用的是DUV光刻机，走多重曝光路线，等效17nm的G3工艺是主力，G4（16nm）还在爬坡。

而三星、SK海力士、美光这三巨头，早就用EUV跑到了12nm甚至更先进的节点。

制程追不上，怎么办？

换赛道。 长鑫的思路很清晰——不在二维平面上跟人硬拼线宽，而是往三维空间里要密度、要性能。

这就是所谓的“键合DRAM”技术路线。简单说，就是把DRAM存储单元从传统的前道工艺挪到后道工序，通过多层堆叠实现三维集成。绕过EUV，用堆叠换性能。

为了实现这个目标，长鑫跟北方华创、中微公司这些国产设备商深度绑定，联合研发专用的蚀刻和封装设备。国产设备采购占比已经从45%提升到了62%。

二、理想丰满，现实骨感

想法很好，但现实数据有点扎心。

长鑫目前HBM3的12层堆叠良率只有35%到40%。商业量产通常要求70%到80%的良率——差距不是一星半点。

有分析指出，长鑫HBM的综合良率可能只有25%左右。层数越高，良率断崖式下滑。

更扎心的是对比。

三星电子早在2025年2月就已经全面量产12层堆叠的HBM3E。人家不仅做出来了，还做到12层了。

你两层刚达标，人家12层已经量产了。这差距确实让人喘不过气。

不过也要看到，长鑫2016年才起步，靠收购德国奇梦达的专利和技术起家，用不到十年时间从零干到全球第四大DRAM厂商，已经是相当惊人的速度了。2025年营收546.7亿，2026年一季度营收同比暴涨719%。

三、华为趟过的路

说到堆叠这条路，华为最有发言权。

2020年9月，台积电正式断供华为芯片。当时华为90%的芯片都靠台积电代工——等于被人掐住了喉咙。

怎么办？

华为的选择跟今天长鑫的思路如出一辙——靠立体封装和堆叠来续命。

2022年6月，华为提交了芯片堆叠相关专利。2024年4月，又提交了“四芯片封装”专利，展示了一种基于硅中介层的四芯片堆叠方案。

到了2025年，华为Pura X折叠屏手机搭载的麒麟9020，用的就是全新一体化封装技术，通过堆叠式结构把CPU、GPU、NPU等功能单元集成到一个模块里。

再后来，华为提出了“韬（τ）定律”。核心思路是不再死磕“把晶体管做小”这条老路，而是通过三维空间里的逻辑折叠和电路重构，在相对成熟的制程上实现等效于先进制程的性能。

英伟达CEO黄仁勋对此的评价是：“这是一项出色的技术，也是华为的重要突破。”

当然，也有人指出华为的逻辑折叠跟传统3D堆叠封装不是一回事——前者是在芯片设计阶段就重构电路拓扑，后者只是把做好的芯片叠在一起。但核心逻辑是一样的：既然制程追不上，就用空间换性能。

四、这场仗怎么打？

从长鑫到华为，国产芯片在EUV被卡的情况下，正在走一条用堆叠和封测补制程短板的路。

这条路能不能走通？

从华为的经验看，能走通。麒麟9020、昇腾AI芯片都是活生生的例子。从长鑫的现状看，差距确实大，但方向是对的。

长鑫现在的策略很务实：跳过HBM2E，直接攻坚HBM3和HBM3E，优先绑定华为昇腾这些国产AI芯片的订单，用订单来打磨良率、摊薄成本。同时跟长电科技、通富微电共建先进封测产线，跟中微公司、北方华创这些设备商一起迭代国产设备。

华为、长鑫存储、长江存储还形成了一个“铁三角”——华为主导需求定义，长鑫负责DRAM制造，长江存储输出3D封装技术。

这是一场持久战。

韩媒说中韩HBM差距已经缩到3年左右，也有人说实际代差还有4到5年。不管哪个数字更准，追赶都需要时间。

但有一点是确定的——这条路，必须走下去。

光刻机被卡是现实，等不来、靠不来。好在堆叠这条路，有人已经趟出来了。