硼酸铯锂（CsLiB6O10，简称CLBO）具有优异的紫外/深紫外非线性特性，其综合性能十分优良，能够实现对Nd:YAG激光的二倍频、三倍频、四倍频和五倍频输出的相位匹配及和频产生193nm激光输出，是全球高功率深紫外固态激光变频领域不可替代的标杆型战略晶体，是衡量一国激光与非线性光学晶体综合研发实力的标志性产品，具有极高的战略价值。
以CLBO晶体为谐波发生核心搭建的213nm（五倍频）、266nm（四倍频）高功率深紫外全固态激光器是可控核聚变极端工况下深紫外等离子诊断的核心关键光源。面向激光惯性约束聚变、托克马克、仿星器和Z箍缩聚变装置内高干扰的等离子体汤姆逊散射诊断场景，该光源能够探测传统方法难以测量的高密度、高温、强辐射杂散光、微尺度的等离子体区域，实现电子温度和电子密度等核心参数的高精度定量诊断。
目前全球晶圆厂在用的DUV光刻产线必须搭配晶圆缺陷检测仪、掩模版（光罩）质检设备，用来检查光刻后图形精度、掩模破损，这类检测设备为高重频、大功率全固态深紫外激光器，其核心光源采用CLBO晶体作为核心变频元件，实现266nm、210nm、193nm大功率激光输出，具有波长短、分辨率高、衍射效应好等优点，在半导体晶圆检测中可准确检测微观缺陷，承担整条光刻产线良率管控的重要职能。晶圆检测设备市场占据了当前CLBO晶体应用的大半壁江山。
为突破海外ArF准分子激光器垄断，我国积极布局193 nm全固态替代光源研发。在单级和频技术路线中，CLBO晶体既是实现四倍频输出的核心变频材料，也是最终和频产生193nm激光的核心元件，是我国深紫外光刻光源自主化的一个关键研究方向。
基于CLBO晶体的深紫外激光器在其它先进制造的应用包括MicroLED加工（LLO激光剥离、像素修复、台面刻蚀）；半导体微刻蚀（Chiplet硅中介层、SiO₂/SiN介质开孔、SiC晶圆开槽）；无掩膜深紫外光刻；脉冲激光沉积（PLD）等。
美国科磊（KLA）在深紫外激光半导体检测设备处于全球垄断领先地位。为了实现“国产替代”和技术自主可控，华为技术有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司等单位已开展半导体晶圆检测设备的研制，高光学质量CLBO晶体器件是关键核心材料。
CLBO晶体由日本大阪大学首先发明，以OXIDE Corp.为代表的少数几家日本公司掌握全球领先的CLBO晶体技术，控制了全球高端CLBO晶体供应。面向先进半导体制造、可控核聚变、尖端科研等应用领域的大口径、高光学质量的CLBO晶体及其生长工艺、加工技术、封装技术属于对我国出口管制范畴。
苏州益科思晶体技术有限公司是苏州智材科技有限公司的子公司，是一家由国家重大人才引进工程入选者携手国内外优秀晶体专家成立的新兴晶体材料研发与生产企业，团队拥有晶体材料制备全链条专业背景和丰富的从业经验，专业覆盖长晶设备设计与制造、长晶工艺、晶体加工与材料检测，公司专注于高温超导、可控核聚变、半导体及光通信领域的关键晶体材料研发与产业化。
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