1、AI服务器CPU需求持续火热，超微Helios平台、2纳米积极布局（Digitimes）
受益于 EPYC 服务器处理器需求升温，超微2026 年第一季 x86 CPU 市场版图持续扩张。调研数据显示，超微服务器 CPU 营收市占率创下 46.2% 历史新高，整体 CPU 营收市占率达 38.1%，在数据中心与 AI 服务器市场竞争力持续提升。Mercury Research 统计，超微第一季 CPU 整体出货市占率 30%，较 2025 年同期增加 5.6 个百分点，季增 2.7 个百分点。 EPYC 产品线成为超微营收增长主力，营收市占率年增 6.8 个百分点、季增 4.9 个百分点至 46.2%，出货市占率 33.2%。云端服务商与企业客户持续导入 EPYC 平台，加上 Instinct AI 加速器平台在超大规模数据中心应用增多，带动超微 AI 服务器渗透率持续走高。超微正积极布局下一代数据中心产品，包含 Helios AI 机架搭载的 Venice、Verano 与 MI400 系列，持续强化 AI 与 HPC 市场布局。客户端市场，超微出货市占率 29.6%、营收市占率 31.4%，均较 2025 年第四季小幅成长；台式机 CPU 营收市占率 37.6%，季减 5 个百分点，但仍较 2025 年同期增加 3.2 个百分点，出货市占率年增 5.1 个百分点。受内存与 GPU 涨价推升 PC 成本影响，消费端台式机升级需求趋于保守，消费者延后采购新平台与零组件，削弱台式机市场短期动能。 NB 与移动处理器业务维持增长，超微移动处理器出货市占率季增 2.3 个百分点至 28.3%，营收市占率季增 4 个百分点至 28.9%。Ryzen AI、Ryzen AI MAX 系列受 AI PC 需求带动，搭配 XDNA 架构强化 AI 运算能力，市场接受度持续提升。随着 Agentic AI 需求持续扩大，超微将加速推进 2 纳米新一代产品及现有产品线出货，满足 AI 服务器与 HPC 市场需求。台积电承接多家 AI、CPU 业者先进制程订单，先进产能供给吃紧，供应链产能压力备受关注。市场预期，超微后续服务器业务将维持强劲成长，PC 市场增速则可能低于往年。
2、台积电CoWoS、SoIC产能高速扩张AI带动全球18座新工厂同步建设（Digitimes）
台积电 5 月 14 日举办 2026 年技术论坛，高管田博仁介绍先进制程、3DFabric 先进封装、全球扩产与 AI 智能制造最新进展。公司N2 制程已正式量产，良率优于同期 N3，2026 年相关产品将进入日常应用；搭配背面供电的 A16 制程、车用 N3A 制程均按规划推进，进度优于过往同类型车用制程。先进封装 CoWoS、SoIC 进入高速量产，CoWoS 产能持续高速扩张，未来几年年复合增长率超 80%，满足 AI 与 HPC 强劲需求。台积电大幅缩短 CoWoS、SoIC 开发时间，依托 HBM、基板、测试及封装材料供应链协作落地 3DFabric 量产；AI 封装需克服散热、翘曲、材料应力、大尺寸基板控制等难题，靠 AI 算法、光学对位、AOI 检测实现高精度堆叠与良率管控，搭配智能芯片配对系统提升高端 AI 系统品质一致性。业内疾呼 AI 与 HPC 市场高速成长，2022 至 2027 年 AI 与 HPC 专用芯片需求将大增 11 倍，大型高效芯片需求成长 6 倍，台积电 N3、N5 量产良率优于 N7 世代，同时持续布局 BCD、RF、MRAM、嵌入式内存、传感器等特殊制程。因应 AI 爆发需求，台积电同步扩建新厂并优化现有厂区效率，串联 N3、N5、N7 厂区，以 AI 智能排程、生成式 AI 优化机台参数与设备维护，新厂量产导入时间缩短约 20%。2025 至 2026 年台积电全球扩产速度较往年翻倍，全球合计18 座新建及改造 12 英寸晶圆厂，含 5 座先进封装厂；美国亚利桑那、日本熊本、德国厂区按各自时程投产先进及车用制程，台湾同步有 12 座晶圆厂与先进封装厂在建，布局 N2 及更先进制程并持续扩充封装产能，支撑 AI 市场需求。
3、NVIDIA Vera Rubin设计问题排除，供应链称2026年第三季逐季放量（ Digitimes ）
市场传闻英伟达 Vera Rubin 平台因散热架构设计变更，引发供应链出货、毛利疑虑并冲击散热与组装代工营运。供应链透露，Rubin 相关设计问题已排除，英伟达已和 ODM 及关键供应链確認量产方案，开发进度重回正轨。 Rubin GPU 功耗升高，热密度、封装尺寸与结构稳定性要求远超 Blackwell 架构，原有高端散热方案在散热管控与翘曲控制遭遇瓶颈。英伟达原规划 2026 年 3 月采用双片式均热片架构，单价 150 美元，较前代高出约 5 倍；测试出现问题后，改为单片式均热片新版本量产。 问题出自 TIM 2.0 界面材料，原采用铟片搭配液态金属散热，热循环测试出现液态金属外溢；芯片、载板与均热片热膨胀系数差异导致翘曲变形，产生泵吸效应使液态金属外泄，导电外溢易造成 GPU 短路报废，因此英伟达改回单片式顶盖架构，稳住量产品质与稳定性。 另外 SK 海力士 HBM4 产能与规格验证未达英伟达要求，部分基底晶片需重新设计，出货延后约 3 个月，叠加平台设计调整，一度传出 Rubin 放量延期。 目前设计问题已全部解决，规划 2026 年 6 月试产、7 月对云端大厂交货，2026 年第三季起逐季放量；全年 Rubin GPU 产量低于原先预估，今年 AI 服务器市场仍以 Blackwell 系列为主流。
4、联电正式跨入14纳米世代，eHV FinFET平台瞄准OLED驱动IC（ Digitimes ）
联电投入多年研发正式跨入 14 纳米世代，5 月 14 日推出瞄准显示驱动 IC 的 14 纳米嵌入式高压 FinFET 技术平台，并提供制程设计套件供客户导入，该新制程已在联电 12A 厂完成验证，可提升电源效率、优化性能并缩小芯片尺寸，助力新一代显示技术发展。联电 2017 年宣布不再投资 12 纳米以下先进制程，制程长期停留在 22/28 纳米，2024 年与英特尔合作开发 12 纳米平台，预计 2027 年量产；2026 年第一季联电尚无 14 纳米以下制程营收贡献，40 纳米以下产品出货占比仍超 50%，其中 28 纳米及 22 纳米合计约 34%、22 纳米占比 14% 创下历史新高。相较于现行量产的 22 纳米 eHV 方案，联电 14 纳米 eHV FinFET 平台可降低 40% 功耗、缩小 35% 芯片面积，延长设备续航，适配高阶与折叠式 OLED 手机显示应用；数字电路采用 FinFET 取代平面晶体管，优化 I/O 元件、提升驱动速度与信号完整性，满足高分辨率高刷新率需求，中压元件线宽间距更精简、电压适配范围更广，驱动电路设计弹性增大。此次 14 纳米 eHV 平台是首次将 FinFET 技术导入显示驱动领域，具有里程碑意义，联电凭借完整高压制程、IP 资源与设计支援，可提供 0.6 微米至 14 纳米全系列显示产业解决方案。受益晶圆出货与产能利用率回升，联电 2026 年第一季税后净利新台币 161.7 亿元，环比增 60.8%、同比增 107.9%，每股 EPS 1.29 元，毛利率 29.2%；展望第二季，营运将由面板驱动 IC、微控制器与电源管理芯片带动，8、12 英寸晶圆出货显著增长，总出货量预估季增高个位数、美元报价 ASP 小幅上扬低个位数，毛利率力争守住 30%，全年资本支出维持 15 亿美元，预计 2026 年底超 50 家客户完成 22 纳米平台设计定案，应用覆盖显示驱动、网通、微控制器等领域。
5、 台积电CoWoS良率飙升超98%、产能急速扩张，14倍光罩尺寸预计2028年量产（ Digitimes ）
台积电5月14日在新竹举办技术活动，指出智慧革命开启，AI迈向实体AI，由先进半导体功耗与效率驱动。半导体市场规模将提前至2026年突破万亿美元，2030年达1.5万亿美元，增长主力为高效运算及AI领域。先进制程方面，2纳米2025年第四季量产，增强版2026年下半年量产；A14计划2028年量产，A13及搭载超级电轨的A12定于2029年量产，晶体管架构持续演进。先进封装方面，2026年量产5.5倍光罩尺寸CoWoS（良率超98%），14倍光罩尺寸版本2028年量产；系统级晶圆、系统整合封装技术持续推进。光子引擎方面首款高速产品2026年量产，目标2030年达成高带宽密度。特殊制程方面，车用先进逻辑制程已认证，下一代2028年完成认证；先进射频、非挥发性内存、显示技术稳步迭代。2纳米及进阶制程产能2026-2028年高复合增长，客户AI加速器需求四年有望增11倍，先进封装产能高速扩张。
