新加坡国立大学常务副校长Aaron Thean院士加入国际人工智能科学院（AAIS）

Aaron Thean院士简介

一、教育背景

Aaron Thean毕业于美国伊利诺伊大学香槟分校（UIUC），获得电气工程 B.Sc、M.Sc 和博士学位，并以Edmund J. James学者身份毕业，这是该校授予本科生的最高荣誉之一。他的博士研究工作使他获得了2001年Gregory Stillman半导体研究奖，这是对他早期学术成就的重要认可。

Aaron Thean教授拥有超过20年的半导体行业研发经验，先后在多家国际知名企业担任重要职务，后回到新加坡国立大学从事学术研究和管理工作。Aaron Voon-Yew Thean院士目前是新加坡国立大学（NUS）电气与计算机工程系教授。他还是比利时纳米电子研究中心IMEC的咨询研究员。

在2016年加入新加坡国立大学之前，亚伦曾任IMEC逻辑技术副总裁及逻辑器件研究主任。在IMEC，他主导了从超大规模FinFET、纳米线场效应晶体、III-V/Ge通道、隧道场效应晶体到基于自旋电子和二维材料的新兴超越CMOS逻辑纳米器件架构的先进器件技术的研发。他参与了针对7纳米、5纳米及更广泛新兴技术的设计与工艺技术协同优化（DTCO）。

2011年之前，他在美国加利福尼亚州圣地亚哥的高通CDMA技术部门工作。在那里，他领导战略硅技术组，负责新的系统片上技术定义和高通即将推出技术的DTCO。

2007年至2009年，Aaron Thean担任IBM国际半导体开发联盟（ISDA）FEOL及器件经理，共同领导八家公司联盟的器件/工艺团队，在纽约IBM东菲什基尔开发28纳米和32纳米低功耗散体CMOS技术。他的团队开发了业界首个兼容晶圆厂的Gate-First高k金属门（HKMG），采用新颖的SiGe通道低功耗散体CMOS技术。它使代工厂合作伙伴生产的当今最成功的智能移动设备得以实现。

二、项目和荣誉

在加入IBM之前，Aaron Thean院士曾是摩托罗拉先进产品研发实验室（APRDL）和飞思卡尔半导体的高级科学家。

随后，Aaron Thean院士领导了位于德克萨斯州奥斯汀的新颖器件研究组。他对多种先进半导体器件进行了开路研究，包括硅酸硅上应变硅、FinFET、FDSOI和纳米晶体闪存。

Aaron Thean院士因博士研究获得了2001年Gregory Stillman半导体研究奖。他发表了300多篇技术论文，拥有50多项先进电子领域的美国专利。他获得的显著荣誉包括2014年化合物半导体产业创新奖，表彰其研究团队突破性的III-V型FinFET工作。

2013年，他因在半导体研发中心的研发贡献获得三星电子韩国最佳合作奖。他还因其对先进晶体管研发的贡献，获得了母校伊利诺伊大学颁发的2010年青年校友成就奖。最近，他获得了新加坡国家研究基金会“新加坡科学家返乡计划”的认可。

三、研究领域与学术成就

Aaron Thean教授的研究领域主要集中在先进半导体器件技术和异质集成系统，包括：

• 高端晶体管（FinFET、GAAFET、III-V 纳米器件）

• 低功耗 CMOS 技术

• 铁电和负电容器件

• 先进存储器和神经计算

• 混合柔性电子系统

• 异质集成技术

• 大面积柔性混合电子
  

Aaron Thean教授的学术成就显著：

• 发表300多篇技术论文

• 拥有50多项美国专利

• 2014年，因III-V finFET突破性研究获得化合物半导体行业创新奖

• 2013年，获得三星合作奖，表彰他对三星研究的贡献

• 2010年，获得伊利诺伊大学校友成就奖，表彰他在先进晶体管研发方面的贡献

• 2016年，获得新加坡国家研究基金会归国新加坡科学家奖

四、学术头衔

Aaron Thean教授拥有多个重要学术头衔：

• 新加坡工程院院士（Singapore Academy of Engineering Fellow）
• 美国国家发明家科学院院士（National Academy of Inventors Fellow）
• IEEE会士（IEEE Fellow）
• 比利时IMEC咨询研究员（Consulting Fellow）

他还积极参与国际学术社区，担任IEEE电子器件快报（IEEE Electron Device Letters）编辑，并在多个科学顾问委员会任职，包括新加坡-麻省理工学院联盟（SMART-LEES）、A*STAR 微电子研究所（IME）、华为新加坡研究中心等。

五、领导与创新贡献

在NUS期间，Aaron Thean教授展现了卓越的领导才能和创新精神：

• 创立NUS-应用材料公司企业联合实验室，投资达7000万美元，致力于下一代半导体材料协同创新

• 领导新加坡混合集成新一代微电子中心（SHINE），推动异质集成技术研究

• 担任NUS工程学院微纳加工研究中心 E6Nanofab主任

• 曾任NUS研究与技术副校长办公室产业参与与合作主任（2016-2018年）

• 2026年2月，加入国际人工智能科学院（AAIS），拓展在人工智能领域的研究与合作

Aaron Thean教授的工作架起了学术界与产业界之间的桥梁，他的研究成果已成功转移到多家半导体企业，对全球移动设备和半导体行业发展产生了重要影响。

THEAN, Voon-Yew Aaron 

PROFESSOR

NUS官网：https://cde.nus.edu.sg/ece/staff/aaron-voon-yew-thean/

 Aaron Voon-Yew Thean is a Professor of Electrical and Computer Engineering at the National University of Singapore (NUS). He is also a consulting Fellow to IMEC, a Nano-electronic Research Center, based in Belgium. Prior to joining NUS in 2016, Aaron served as IMEC’s Vice President of Logic Technologies and the Director of the Logic Devices Research. At IMEC, he directed the research and development of advanced device technologies ranging from ultra-scaled FinFETs, Nanowire FETs, to III-V/Ge Channels, Tunnel FETs to emerging Beyond CMOS logic nano-device architectures based on Spintronics and 2-D materials. He has been involved in Design and Process Technology Co-optimizations (DTCO) of emerging technologies targeting 7nm, 5nm, and beyond. Before 2011, he was with Qualcomm’s CDMA technologies in San Diego, California, USA. There, he led the Strategic Silicon Technologies Group responsible for new System-On-Chip technology definition and DTCO for upcoming Qualcomm technologies. From 2007 to 2009, Aaron served as the International Semiconductor Development Alliance (ISDA) FEOL and Device Manager at IBM, where he co-led an eight-company alliance device/process team to develop the 28-nm and 32-nm low-power bulk CMOS technology at IBM East Fishkill, New York. His team developed the Industry’s first foundry-compatible Gate-First High-k Metal-Gate (HKMG) with novel SiGe channel Low-Power bulk CMOS technologies. It enabled some of today’s most successful smart mobile devices in production by the foundry partners.

Before IBM, Aaron was a senior staff scientist with Motorola’s Advanced Product Research and Development Laboratory (APRDL) and Freescale Semiconductor. He subsequently led the Novel Device Research Group there in Austin, Texas. He performed path-finding research on a variety of advanced semiconductor devices that included Strained-Si-On-Silicon, FinFETs, FDSOI, and Nano-crystal Flash Memory. Aaron graduated from the University of Illinois at Champaign-Urbana, USA, where he received his B.Sc. (Highest Honors & Graduated as Edmund J. James’ Scholar), M.Sc., and Ph.D. degrees in Electrical Engineering. He was awarded the 2001 Gregory Stillman Semiconductor Research Award for his Ph.D. work. He has published over 300 technical papers and holds more than 50 U.S. patents for inventions in the field of advanced electronics. Among his notable recognitions include the 2014 Compound Semiconductor Industry Innovation award for his research group’s break-though III-V FinFET work. In 2013, he was given the Best Collaboration Award from Samsung Electronics Korea for R&D collaborations contributing towards its Semiconductor R&D Center. Aaron received the 2010 Young Alumni Achievement Award from his Alma Mater, University of Illinois, for his contribution to advanced transistor R&D, as well. Most recently, he has been recognized by Singapore National Research Foundation’s Returning Singaporean Scientist Scheme.

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