在集成电路等半导体装置制造工序中,要对半导体晶圆进行成膜处理及蚀刻处理等各种处理。在对晶圆进行加工制造工艺中,需要将晶圆加热到一定温度下进行,且对晶圆温度的均匀性有非常严格的要求,因为晶圆温度的均匀性对半导体芯片的质量有着非常重要的影响;同时还需要在真空、等离子体、化学气体等环境下工作,这就要用到陶瓷加热器。
图 陶瓷加热器结构,来源:JUMP
近年来,对半导体晶片成膜的膜的材质多样化,有Si膜、SiN膜、SiO2膜、SiON 膜、W膜等,因此,需要能够在 400℃左右~ 800℃左右的高温区域内进行的处理的半导体制造装置。铝金属加热器的热膨胀系数大,且有微粒产生的问题,不能在500℃以上温度使用,具有局限性。陶瓷加热器具有导热性好、耐热冲击性好且加工性较好的优势。
根据专利CN104582019A,将氮化铝粉、氧化钇等材料球磨混合,喷雾干燥后进行模压成型制成两个生坯,脱脂烧结后得到烧结体。在烧结体之一的一侧表面上利用丝网印刷涂布导电浆料,脱脂烧结,形成电阻发热体;在另一烧结体的一侧表面涂布以粘合用氮化铝为主成分的材料,并进行脱脂烧结处理,使形成有以该粘合用氮化铝为主成分的材料的面,和形成有电阻发热体的面相互对置重合,进行接合。由此,制作出埋设有电阻发热体的陶瓷基体。在晶片搭载面相反侧的背面接合AlN制的圆筒形支持体。在接合时,使用以氮化铝为主成分的接合材料进行化学接合。对该陶瓷基体加工埋头孔,使电阻发热体从背面在支持体的内径区域露出,对电阻发热体连接用于供电的外部端子,对外部端子连接供电线。
三、陶瓷加热器国产化正当时
论坛议程
FORUM AGENDA
论坛背景简介
ABOUT FORUM
本届论坛将于2026年6月11日在苏州中惠铂尔曼酒店隆重举办,邀请半导体陶瓷材料领域的专家学者、国内外知名企业高管出席论坛并做大会报告。论坛将紧扣在半导体关键设备(如光刻机、等离子刻蚀机、离子注入机、CVD&PVD薄膜沉积、热处理扩散炉等)应用的先进陶瓷材料,如高纯氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硅、氧化钇、堇青石、CVD-SiC等;以及关键陶瓷零部件,如陶瓷加热器、静电卡盘、真空吸盘、聚焦环、光刻机用低膨胀及近零膨胀陶瓷导轨和工件台;半导体级陶瓷的成型烧结精密加工及清洗技术、第三代碳化硅半导体等晶圆材料。论坛将紧密围绕高性能半导体级精密陶瓷零部件的新技术、新工艺、新材料、新应用、新市场及产业链发展进行互动交流,为半导体陶瓷产业上下游企业提供优质交流的宝贵机会,探讨我国半导体行业中精密陶瓷材料与关键零部件产业发展趋势与新机遇。
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论坛专家委员会
EXPERT COMMITTEE
2026“第五届先进陶瓷在半导体领域应用与产业发展论坛”专家委员会
主席
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陈小龙 院士 |
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副主席
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黄政仁 |
刘先兵 |
张伟儒 |
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陈玉峰 |
肖汉宁 |
谢志鹏 |
委员
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汪长安 |
李江涛 |
茹红强 |
王玉金 |
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杨现锋 |
杨双节 |
曾宇平 |
莫雪魁 |
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孙伟 |
章健 |
王羚 |
余盛杰 |
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张景贤 |
张国军 |
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于岩 |
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开户名:新之联伊丽斯(上海)展览有限公司
开户行:中信银行上海沪西支行
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