一、基础定义与核心原理
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），中文全称动态随机存取存储器，就是日常所说电脑内存条、手机运行内存（RAM），属于易失性高速主存，断电数据立刻清空。
※核心结构:最小存储单元为 1个晶体管+1个电容（1T1C）：
※电容存电荷：带电=逻辑1，无电=逻辑0；
※晶体管充当开关，控制读写；
※“动态”关键特性:电容会自然漏电，电荷丢失就会丢数据，必须由内存控制器每64ms整芯片刷新一遍，因此叫动态；
※同类型对比 SRAM（静态内存，CPU缓存）：
※6晶体管无电容、无需刷新、速度更快，但体积大、成本极高，只用于CPU一级/二级缓存，无法做大容量内存 。
二、主流产品线分类及应用场景
1. DDR（双倍速率DRAM）
PC台式机、笔记本、服务器标准内存
2. LPDDR（低功耗DDR）
手机、平板、轻薄本、智能穿戴
主打超低电压、省电、小型化，最新LPDDR5X，旗舰手机标配，决定手机多开后台能力 。
3. GDDR（图形专用DRAM）
独立显卡显存（RTX、AMD显卡），超高带宽，专门适配图形渲染、游戏算力。
4. HBM（高带宽内存）
AI大模型、GPU算力卡核心内存
多颗DRAM芯片垂直堆叠+硅中介层互联，带宽是普通DDR数倍，英伟达H100/H200、AMD AI芯片标配，是当前存储行业最紧缺高附加值品类。
5. 利基型DRAM
小容量老旧规格（DDR3、低容量DDR4/LPDDR4），用于工业控制、智能家居、路由器、车载低端设备，定制化需求为主。
三、市场格局
1. SK海力士（韩国）：约38.2%，全球第一，HBM产能最强；
2. 三星电子（韩国）：约33.5%，产能规模最大，全品类覆盖；
3. 美光Micron（美国）：约22.0%，服务器DRAM优势明显；
4. 中国厂商
-长鑫存储（CXMT）：大陆唯一可量产DRAM IDM企业，全球市占5%~8%，量产DDR4/DDR5/LPDDR4，进入戴尔、惠普、小米供应链，国产替代核心标的；
-南亚科技（中国台湾）：少量份额，主打利基内存；
- 华邦电子：利基型小容量DRAM。
四、产业链
上游：材料、设备、EDA、IP、光刻胶、特种气体、靶材、刻蚀机、光刻机、存储IP核；
中游（核心）：IDM一体化（设计+晶圆制造+封测）
DRAM极少纯Fabless设计公司，头部均自建晶圆厂：三星/海力士/美光/长鑫均为IDM模式。