【前言】
1、随着最新三星财报和兆易、普冉26Q1财报的披露，存储的超级周期逻辑终于得以在内地公司上初露锋芒，笔者之前判断，26年的存储类似24年的光模块逻辑，即去年四季度涨了一波预期，今年开始兑现业绩，并持续进入量价齐升的成长逻辑；
2、那么兆易和普冉站在当下的市值，利基DRAM 、SLC NAND 、NOR Flash和MCU的市场价格和供需格局会如何演进，将决定兆易、普冉等企业的后续成长曲线；
3、整体来看，存储超级周期，是算力“物理墙”的核心代表和瓶颈，整体涨价传导逻辑是“AI算力-数据中心-AI端侧-工业及其他”的传导路径，涨价底层逻辑既有供给侧的“刚性去产能”因素，也有逐步的需求侧轮动因素；
4、目前，部分细分的需求侧尚未回暖，仅供给侧因素导致价格上涨，那么当下价格的疲软和“温和上涨”，也视作后续潜力，代表产品是NOR Flash和MCU；
5、三大原厂何时能重回利基市场？将行业再打回“强周期”属性？从目前三星、海力士和兆易管理层表态看，这些业内人士都看不清，有说2027年，有说2030年。实则在推理侧需求及token消耗上无天花板的物理刚性逻辑下，2027显然太乐观了。
下文我们自上而下逻辑梳理下存储行业最新数据产业现实和逻辑，进而能对兆易等企业成长性有个展望。
【正文】
一、从三星26Q1财报说起
1、业绩靓丽
4月29日，三星电子发布了第一季度财报：季度营收达到创纪录的133.9万亿韩元，营业利润同比增长756%至57.23万亿韩元，创下公司历史最佳业绩；
2、供需缺口将进一步扩大
三星对未来的内存需求持高度乐观态度，认为到2027年供需缺口将进一步扩大，同时先进的HBM4工艺预计将在今年下半年实现大幅产能扩张；
3、利润倒挂
目前传统DRAM的利润率高于HBM，理由是两者的定价机制不同。HBM的价格每年固定，而传统DRAM的价格则按季度协商。由于传统DRAM的价格目前正逐季飙升，两者之间出现了利润率倒置的情况。尽管如此，管理层指出，他们不会为了短期利润而积极转向传统DRAM，因为“这可能会制约人工智能基础设施本身的发展”
（这点对于利基存储企业的投资逻辑非常重要，三星海力士等企业中期看都会全面聚焦AI算力刚需的HBM\DRAM\NAND，这是三大原厂非常确定性的公司战略）；
4、需求满足率继续新低
仅从目前的订单需求来看，2027年的供需缺口将比今年进一步扩大。公司强调，其目前的可用供应量远不能满足客户需求，三星的需求满足率目前处于历史最低水平。
（也就是说，尽管已经持续腾挪利基DRAM 、SLC NAND等产能去HBM等AI算力用存储，但还远远不够，满足率将至历史最低水平。同时，这点从微软最新财报也能证实，26全年CAPEX1900亿美元，其中250亿美元为内存成本上涨）
5、继续扩大HBM产能
三星将尽可能扩大产能。在HBM产品方面，目前已成为全球首家开始商业化出货HBM4的厂商；
HBM4是迄今为止进入量产阶段的最新技术标准，即第六代高带宽内存。HBM4已成为NVIDIA Vera Rubin平台和AMD MI450的标配；
其已准备好的HBM4产能已全部预订售罄，预计下半年HBM4供应量将大幅增长；
从今年第三季度开始，HBM4销量预计将超过HBM总销量的一半。比HBM4更先进的HBM4e产品，三星将于第二季度开始提供样品。
6、数据中心的需求正从HBM扩展到NAND闪存
三星的其他产品线也已做好准备。目前，数据中心的需求正从HBM扩展到NAND闪存；
因为运行大型语言模型对内存容量的需求不断增长，而HBM和DRAM的成本相对较高，NAND闪存则更具成本效益；
这一趋势正在推动对高性能PCIe Gen 6固态硬盘的需求，并已做好准备，在今年下半年抢占Gen 6市场先机。
二、美光、海力士财报及市场预判
1、美光科技公司
公司在其2025财年第二季度（2025年12月至2026年2月），美光营收达238.6亿美元，超出此前187亿美元的预期27%。非GAAP营业利润达到165亿美元，超出此前113亿美元的预期46%。
2、DRAM和NAND价格持续上涨
TrendForce数据显示，与上一季度相比，第一季度DRAM和NAND闪存的合约价格分别上涨了90%至95%和55%至60%；
预计第二季度价格将进一步上涨，DRAM价格预计上涨58%至63%，NAND闪存价格预计上涨70%至75%。
3、洁净室紧张
业内预计新的洁净室扩建项目要到2027年底或2028年才会转化为实质性的供应增长；
人工智能云服务提供商正在通过长达五年的长期合同来确保供应；
4、消费电子企业承压
内存价格飙升正给消费电子产品制造商带来沉重压力；
IDC预测，受零部件成本上涨的影响，今年全球智能手机出货量将下降12.9%，PC出货量将下降11.3%，并将内存价格上涨的影响形容为“海啸级”；
制造商正越来越多地降低产品规格或彻底停产低端机型，产业界信息显示，部分显示面板制造商也在削减出货目标。
5、海力士管理层市场预判
SK集团董事长崔泰元判断，全球存储芯片短缺的局面可能还会持续四到五年，整个行业的晶圆供应比需求落后20%以上；
其同时表示，领先的存储芯片制造商正在扩大产能，但由于获得额外的晶圆至少需要四到五年时间，因此不太可能在2030年左右之前完全满足需求。
（基于AI产业现实和产业逻辑，个人认为崔泰元的预判更贴近现实，重资产属性导致三大原厂投入持续滞后于市场需求）
三、兆易创新一季报看企业战略的前瞻及合理性
显然讨论如下几个品类，要结合供需两方面分析讨论；
关键逻辑要建立在三大原厂的经营策略讨论，探讨如三大原厂会否哪天突然宣布“扩产利基产品”，那么利基及消费级存储市场将面临“巨震”；
结合AI产业现状、推理侧爆发趋势，就能判断出三大原厂上述战略的必然性和正确性，且全力转向AI的战略不会因短期价格倒挂而“回旋踢”的必然性；
那么才有如下产品的价格持续上行的底层逻辑，DRAM > SLC NAND > NOR Flash＝MCU；
那么以上传到公式的底层逻辑是什么？
是AI算力——数据中心——AI端侧——工业及其他的逻辑，内部逻辑是「供需缺口+价值量高低」双重作用；
1、回看兆易一季报数据
2026年第一季度,受益于存储行业供给紧缩,价格进一步上行,公司业绩表现亮眼；
单季度实现营业收入同比增长119.38%至41.88亿元,环比增长76.6%；
归母净利润同比增长522.79%至14.61亿元,环比增长158.7%；
此外,得益于存储产品涨价的拉动，公司2026年第一季度的毛利率环比提升12.17个百分点至57.08%。
2、57亿巨额DRAM采购逻辑——有产能即有利润
公司2026年预计从CX集团采购代工DRAM金额约57亿元人民币,较2025年实际发生的11.8亿人民币采购金额大幅提升，相比2025年的11.82亿元增长了约4.83倍；
公司在利基型DRAM市场的渗透力度极大，目标是五年内拿下国内30-40亿美元市场中至少1/3的份额；
主要源于公司自身料号演进,以及行业整体明显供不应求背景下晶圆代工成本相应提升，公司与CX集团的关联交易定价公允；
（当下存储市场，实际上有存储颗粒就有利润，兆易已经在全力锁定未来产能，一季度存货提升至34.01亿，预计将持续提升）
3、提价逻辑
价格方面,虽然在供给紧张背景下议价周期已经有所缩短,但公司希望与客户保持长期、良好的合作关系,并不追求激进涨价；
尽管公司表示不激进涨价，但实际是“Q1已对部分紧缺品类调涨价格（部分涨幅达 30%-50%）”；
基于三大原厂和产业实际情况，才能判断出这句话是否逻辑：“并预期Q2价格将继续保持坚挺或稳中有升”，实际上DRAM依旧会继续升；
基于以上两点，所以逐步看后续至少年内三个季度，“量价齐升”逻辑成立的合理性。以及连续多季度继续环比增长的逻辑依据。
四、DRAM > SLC NAND > NOR Flash＝MCU产品提价传导逻辑
1、产业技术传导逻辑
简言之存储整体传导逻辑如下图：
1）HBM → 挤占DRAM wafer
HBM本质 = DRAM die + 先进封装
三星/海力士提升HBM占比+锁长单（GPU厂）
结果：通用DRAM wafer supply下降
2）DRAM紧张 → 挤压NAND
厂商Capex是“总盘子”，DRAM赚钱 → 资本优先投DRAM/HBM，NAND扩产被压制
结果：NAND供给恢复速度慢于需求恢复
3）AI NAND需求及价格提升（即将发生）
NAND内部再分层，三星说的AI NAND需求，本质集中在：eSSD（企业级）、QLC（大容量）
厂商行为：
优先供：eSSD（利润高）
压缩供：低端颗粒/ 特殊小众规格
4）SLC NAND的位置（普冉SHM核心业务）
SLC NAND不是主流产品，它有两个特征：用量小、但必须稳定供货（工业/车规）
当NAND整体供给紧张时：厂商不会优先保SLC，因为量小、利润不如eSSD
结果：SLC反而更容易“断供/涨价”
产业现实：在SLC NAND Flash 产品上，受益于 AI 需求的爆发，对主流的 3D NAND（如 eSSD）的需求大幅提升，从而驱动国际大厂削减 2D NAND 产能，将战略重心转向 3D NAND，2D NAND 形成明显的供给缺口，SLC NAND Flash 价格自第三季度开始迎来显著上涨。
（Q1财报已经看到SHM的业绩爆发性，同时26Q1 SLC NAND 全行业涨价幅度在 25%-35% 之间）
5）利基DRAM（DDR3/DDR4/特规）的逻辑
厂商在做：DDR4 → DDR5升级+普通DRAM → HBM迁移
结果：老产品（DDR3/DDR4）不扩产甚至停产，但工控 / 车规 / legacy系统需求→ 刚性存在
导致利基DRAM = 典型“结构性短缺资产”
产业实际：DRAM 产品方面，AI 服务器等需求爆发带动DDR5、HBM等主流存储产品需求激增，国际头部公司加速向新制程节点的 HBM、DDR5 等主流产品迁移，放弃或减少利基型产品的生产，带来行业竞争格局的改善，利基型 DRAM价格从而迎来大幅上涨
（所以有了兆易26Q1部分DRAM涨幅达 30%-50%的底层逻辑）
6）NOR Flash及MCU
MCU 业务方面，26Q1 MCU 行业价格处于周期底部，但库存水位已经较低。兆易在32位 MCU 产品领域占据国内领先地位，车规、工控、数字能源、白电等市场是公司重要的发力方向；
对于NOR Flash及MCU，需要明确其与DRAM/NAND的本质差异：其需求更多来自消费电子及工业领域，而非直接受益于数据中心AI投入；
因此，其价格弹性虽已受到供给收缩的边际影响，但能否进一步上行，核心仍取决于端侧AI（如AI手机、AI PC）及工业需求的实际恢复节奏；
换言之，NOR与MCU更接近“后周期品种”，其行情具备滞后性与弹性，但确定性弱于前端存储。
小结：本轮存储价格传导可以理解为“由上至下、逐级释放”的过程；
HBM与高端DRAM率先体现AI算力需求，进而通过产能挤占影响通用DRAM，再对NAND供给形成约束；
但需要注意的是，这一传导并非自动完成，而是需要需求侧逐层验证。特别是在NOR及MCU环节，其价格上行的持续性，将更多依赖终端需求的实质性改善，而非仅依赖供给侧收缩。
同时传导链条的风险层面也需要关注：若AI端侧渗透不及预期，或消费电子及工业需求恢复节奏偏慢，则存储价格传导可能出现分化，即前端（HBM/DRAM）维持高景气，而后端（NOR/MCU）表现弱于预期。此外，若部分原厂在高利润驱动下调整产能分配策略，也可能阶段性缓解供给约束，从而影响价格上行的持续性。
五、兆易、普冉结合营收结构看公司前景
首先看两家公司营收结构
兆易：
普冉：
上述营收结构解释了，兆易为什么“小荷才露尖尖角”？
仅占营收20%的DRAM的初步提价上，一季度业绩即达到14.61亿元，经营性现金流净额达到17.83亿；
1、那么兆易未来潜力在哪里？
第一还是DRAM量价齐升，26年CX采购代工产品的金额将达到57.11亿元；
第二是NOR Flash、SLC NAND Flash，因为营收占比高，但目前仅受益于供给侧去库存，需求侧尚未起量，预计三季度后，AI手机AI端侧的新品进一步丰富导致需求侧爆发，需求侧复苏才能进一步推动价格上行；
第三是MCU。MCU 行业价格处于周期底部，但库存水位已经较低，目前刚开始涨价。
简言之，兆易借助CX保证DRAM产能，产能即利润，真正的业绩释放还在未来几个季度，同时NOR和MCU的消费电子和工业级是业绩“二踢脚”，这些涨价兑现业绩不体现在26Q1，要三季度后逐步体现。全年业绩先保守说，70-80亿元，逻辑上是量价齐升（含DRAM和NOR/MCU两部分价格提升的二踢脚组合），那么这种逻辑下，估值是不是也应该相应提一提，别再利基DRAM跟AI无关的认知了。
2、普冉潜力在哪里？
首先明白了存储内部结构性传导逻辑，从AI算力-数据中心-消费级、工业级，那么就明白普冉本部业务大头是NOR，在价格传导尚未到NRO的逻辑下，普冉本部26Q1环比约18%是有逻辑依据的，
需求侧滞后导致Q1本来就尚未大幅涨价，所以本部环比哪来的不及预期，只能说预期的错误的，没深入理解产业；
其次，SLC NAND Flash的高景气在Q1财报中体现了，未来要继续关注SHM剩余49%股权的收购进度，这是优质资产；
第三部分是MCU；
同时亮点还有26Q1存货达到了15.84亿。
六、综述
本文分析到这，关键是首先理解存储各产品细分的产能缺口、价格传导的底层逻辑，理解该逻辑，不仅可判断兆易、普冉，判断其他即将爆发的AI驱动下的企业级PCIe 5.0 SSD（大普微等）等，理解为什么会传导到NAND，为什么三季度后视AI端侧AI手机的爆发性，评估传导到NOR的影响，同时利基DRAM为什么持续涨价或维持高价，就有了底层逻辑。
需要强调的是，本轮存储上涨虽然由供给侧收缩启动，但完整的价格传导并非线性、一致推进。当前已经验证的是HBM/DRAM向上带动的供给收缩效应，并且将开始传导至NAND，而NOR及MCU等品类的景气度，仍取决于需求侧的接力情况，尤其是AI端侧放量与工业需求复苏的节奏。因此，价格传导本质是“供给驱动启动 + 需求驱动强化”的过程，而非单一供给因素即可完成的全链条共振。
其次，跟踪普冉收购剩余SHM股权进度，跟踪SLC涨价持续性，以及关键的NOR和MCU的库存和价格走势。总之，各种表现可能性，均能从上述存储产业端内部传导逻辑和营收结构找到原因。考虑到后周期属性，公司依旧小而美，且潜力不小，如果三季度完成SHM剩余49%股权收购+SLC继续提价+NOR大幅涨价发生，估值会进一步上台阶；
再次，兆易后续的二踢脚产品结构下的量价齐升，理论上是PE与EPS的双击，个人认为AI端侧设备的需求高增长是大概率发生的，只是时间问题。同步跟踪DRAM提价持续性以及端侧需求对NOR价格的影响。个人认为兆易2026年内合理估值可以给30-40倍PE，业绩上或有更多惊喜；
最后，接下来多个季度，预计无论美光等三大原厂，还是兆易、普冉等，依旧是逐季环比增长的量价齐升基本面逻辑，「颗粒及产能即是利润」的产业背景下，继续看好57亿元锁定CX采购的业绩弹性和确定性，也认可公司“目标是五年内拿下国内30-40亿美元市场中至少1/3的份额”的战略决策，CX的深度合作实际是兆易的护城河之一，商业模式上形成”虚拟IDM模式“，这在未来存储竞争格局下是非常重要的优势。在当下的产业格局，存储受益于AI是全方位的，绝非仅HBM的狭隘看法；同时LPDDR4 产品下半年的量产，也将进一步打开兆易的成长性。
综合来看，本轮存储行情的核心在于AI驱动下的供给重构与需求重定价。短期由供给侧收缩驱动价格上行，中期取决于AI需求从数据中心向端侧的扩散节奏，长期则取决于终端需求是否形成持续性接力。因此，结构上将呈现“前端确定性强、后端弹性更大但依赖需求验证”的特征。
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