近期，常州市晶讯聚震科技有限公司（简称：晶讯聚震或CRT）宣布其在基于核心专利衬底的TF-SAW滤波器和单晶FBAR高频滤波器领域实现重大突破：
核心突破一：无IP侵权TF-SAW双工器/四工器量产，性能与成本双优
• 自主专利衬底，打破壁垒：晶讯聚震成功量产多款基于“非Soitec”POI衬底，自主生产6英寸COI (CRT专利POI ) TF-SAW双工器与四工器（覆盖B66/B25/B7/B25+66+70等关键频段），其衬底结构专利显著区别于村田（Murata）与Soitec，确保完全无IP侵权风险。
• 性能卓越，尺寸灵活：量产产品尺寸为1.6mm x 1.2mm，并同时满足下一代1.4mm x 1.1mm的客户需求。在量产性能和一致性上实现重大突破， Typical IL<-1.0dB.（图1），温度漂移系数为±5ppm/℃，满足更严苛的用户环境。
图1 晶讯聚震B25 DPX滤波器实测性能
目前晶讯聚震正努力扩大产能，在2025年Q3满足更多终端客户的量产需求。
核心突破二：单晶FBAR UHF Wi-Fi 6/7 FB滤波器性能突破壁垒
• Wi-Fi 6/7 FB全覆盖：量产的单晶FBAR滤波器实现高频段全覆盖：
• Wi-Fi 6FB：中心频率(f0)：5503MHz， 带宽(BW)：665MHz
• Wi-Fi 7FB：中心频率(f0)：6535MHz，带宽(BW)：1180MHz
• 性能全面领先：在插入损耗(IL)、带外抑制及功率承载等核心指标上取得革命性突破
• 卓越的功率承载：Wi-Fi 7FB滤波器实测可承载高达36dBm功率（调制模式QPSK，带宽10MHz），满足最严苛应用场景。
• 超低插损与高抑制：显著优于国际竞品，完美解决多频段共存干扰难题。
• “无IP侵权”单晶高掺杂外延技术：专利的单晶高掺杂AlScN POI晶圆与独特设计，掌握从单晶外延、前道制程到封装的全流程自主技术，核心专利已获美国及多地区授权。
该系列产品可实现Wi-Fi 5GHz-7GHz全覆盖，将广泛应用于5G智能手机、可穿戴产品、CPE、近地轨道卫星通信、Wi-Fi 6无线路由器、无人机、工业机器人、笔记本电脑等产品终端，两颗物料封装尺寸分别为1.4 mm x 1.1mm和1.8mm x 1.4mm（与国外主流品牌Pin脚兼容）。
图2 产品实物：Wi-Fi 6 FB滤波器1.4mm x 1.1mm（左）；Wi-Fi 7 FB滤波器1.8mm x 1.4mm（右）
图3 晶讯聚震Wi-Fi 6 FB滤波器实测性能
图4 晶讯聚震Wi-Fi 7 FB滤波器实测性能
同时为满足客户的更高功率的承载要求，晶讯聚震Wi-Fi 7 FB滤波器实际可承载功率为36dbm, 和国际大厂Qxx Bxxx滤波器在客户端的实际测试对比详见下表
图5 晶讯聚震Wi-Fi 7FB滤波器承载功率实测结果 (测试条件：调制模式QPSK，测试带宽10MHz)
晶讯聚震创始人兼首席执行官Dror Hurvits表示：“晶讯聚震致力于让客户体验更完美的信号传输通讯，COI TF-SAW滤波器和Wi-Fi 6 & 7 FB FBAR滤波器性能上的突破，这代表了世界领先的滤波器工艺技术和先进封装技术！这两个系列的滤波器均采用了晶讯聚震“无IP侵权”的专利，掌握了从单晶外延片、前道制程、后端MEMS工艺和封装的全流程工艺技术，产品不仅全部中国制造，重要的是，它也是‘中国创造’，所有自主专利已获美国和其他地区授权。同时，晶讯聚震目前正在导入多家领先的Wi-Fi SoC和OEM供应商提供高性能的Wi-Fi 6 FB & Wi-Fi 7 FB共存滤波器。”
截至目前，晶讯聚震已可以为海外和国内客户提供以下7款高频滤波器，满足客户需求（图6）。
图6 晶讯聚震部分已量产的高频FBAR滤波器
晶讯聚震自成立以来持续迭代的单晶衬底技术和大量的专利授权，晶讯聚震已完成4大类的产品布局：
A. TF-SAW针对Sub 3GHz的滤波器应用；
B. XOI-BAW面对下一代超高频和超大带宽的滤波器应用；
C. MCM-FBAR适用于大功率承载需求的3GHz-7GHz的滤波器应用；
D. POI-FBAR适用于5GHz以上和高频Wi-Fi频段滤波器应用。
图7 晶讯聚震创新的单晶滤波器架构
晶讯聚震目前拥有2个制造中心，位于天津的1600平方米晶圆厂专注于制造高性能压电薄膜材料外延，并具备对以压电外延薄膜为基础制造的滤波器进行射频测试及调频的能力，常州工厂完成晶圆的最终加工，公司产品覆盖了低中高频的滤波器、双工器、多工器，更多产品咨询及样品申请欢迎联系我们：sales@crystalresonancetech.com
