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已向主要客户供应12层HBM4E样品
引脚速率最高可达16Gbps，同时改善性能与能效
采用先进MR-MUF技术，热阻降低17%，显著增强稳定性
“依托业界领先的技术竞争力与量产能力，持续引领AI创新，前瞻性地实现市场所需价值”
2026年6月18日，SK海力士宣布，公司已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。
SK海力士表示：
凭借长期以来积累的HBM先导开发能力和量产经验，公司成功向客户提供12层HBM4E样品。我们将与主要客户紧密协作，致力于确保按时量产。
此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。
此外，HBM4E通过新一代接口和设计优化，有效降低了数据传输延迟，即使在高带宽环境下也能保持稳定运行。公司预计，这将能进一步提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。
公司在HBM4E产品采用了先进（Advanced）MR-MUF*工艺，通过12层堆叠实现48GB容量的同时，进一步提高了结构稳定性。与HBM4相比，其热阻降低了约17%，确保了在高性能计算环境中的稳定运行。
SK海力士凭借在HBM3、HBM3E和HBM4上积累的量产和供应经验，始终能够适时提供 符合客户需求的存储器解决方案。公司将继续依托经市场认可的品质和供应能力，针对HBM4E产品也继续与客户携手解决AI系统瓶颈问题，全力支持下一代基础设施的构建。
SK海力士开发总管（CDO, Chief Development Officer）安炫社长表示：
我们将把迄今为止所积累的业界领先技术竞争力和量产能力延续至HBM4E产品，夯实持续引领AI创新的基础。公司将通过与合作伙伴的紧密协作，以前瞻性布局实现市场所需价值，进一步巩固作为‘全方位面向AI的存储器创造者’的技术领导地位。
*批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：在堆叠半导体芯片后，为了保护芯片间的电路，在其中填充液体保护材料，并使其固化。