预估 2026 年第三季一般型 DRAM 合约价季增 13-18%，NAND Flash 合约价季增 10-15%；
受消费端承受力达极限及高基期影响，第三季度整体价格涨幅显著收敛。
根据 TrendForce 集邦咨询最新调查，2026 年第三季 DRAM 市场持续紧缺，但受消费级需求下修及高基期效应影响，预计合约价涨幅收敛至季增 13-18%。NAND Flash 方面，尽管 AI 推理与数据中心建设支撑主要需求，但因价格已达历史高点且消费端需求放缓，买方承受力触顶，预估整体合约价季增 10-15%，涨幅较前几季明显缩减。
DRAM 市场分析：供给紧缩支撑涨价，细分领域表现分化
PC DRAM
第三季 PC OEM 库存回补需求支撑采购动能，但笔记本整机库存累积高成本原料，将推升渠道价格并影响全年出货量。原厂虽按约定交付，但持续将产能转移至 Server 应用，导致 PC DRAM 供应规模压缩。
Server DRAM
通用型 Server 聚焦多任务计算，仍是 Agentic AI 主要配置。随着 CPU 供给改善，预计至 2027 年 Server 出货保持强劲，支撑下半年 RDIMM 消耗及库存建设。第三季供不应求态势延续，但部分长约（LTA）限制买方采购价，致使整体涨幅缩减。
LPDRAM
智能手机品牌需通过调涨终端售价平衡高昂的 LPDRAM 成本，恐抑制整机销售。在产销策略趋保守下，需求可能进一步下滑。然而，原厂为优先满足 AI 需求重新调配产出，预期 LPDRAM 供给维持紧绷，继续支撑合约价上行。
Graphics DRAM
NVIDIA RTX PRO 6000 Blackwell 未如预期创造新一波 GDDR7 拉货动能，加之笔记本出货量下修，GDDR6/7 需求偏弱。不过，原厂灵活转换产能至其他主流产品，使 Graphics DRAM 整体维持供给紧缺，报价随主流 DRAM 同步走扬。
Consumer DRAM
电视、机顶盒等传统消费级需求低迷，但车用、Server SSD、网通等利基型应用表现稳健。大厂加速退出引发的转单效应仍在发酵，实质需求未明显萎缩。加之台系业者扩产 DDR4 规模无法补足大厂退出缺口，合约价维持上行。
NAND Flash 市场分析：高价抑制消费端需求，涨幅普遍收敛
Client SSD
PC OEM 厂上半年已提前备货，且终端市场仅由商业机型支撑，导致整机库存偏高，接受新一轮涨价意愿大幅降低。原厂为维持出货顺畅，策略性调整报价态度，买卖双方拉锯致使合约价涨幅压缩。
Enterprise SSD
买方受 CPU 缺货影响，加之上游扩大产能供应，逐渐累积库存。原厂因 NVIDIA Vera Rubin 平台逐步出货和消费级需求不振，加强 Enterprise SSD 供给。但受内部 DRAM 产能短缺制约，小容量、高速产品供应仍吃紧，整体价格维持上涨。
eMMC/UFS
智能手机品牌厂上半年已完成大部分新机生产与拉货，下半年除旗舰机型 UFS 4.0 有刚性升级需求外，中低端产品备货动能低迷。整体需求转弱使得过去产能被严重压缩的 eMMC/UFS 供给相对充足，卖方议价能力受限，合约价涨势趋于平缓。
NAND Flash Wafer
零售市场、U 盘、存储卡等消费级外设需求持续不振，模组厂客户也因成本高企及终端无法承受高价，需求维持在低点。尽管原厂产能配置仍以高毛利的 AI、Server 产品线优先，释出至市场的 Wafer 总量受限，但在买气极度低迷的情况下，合约价涨幅将明显收敛。
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