7 月 3 日，铠侠与闪迪联合宣布，双方协同研发的第十代 BiCS FLASH 3D 闪存正式开启工程样品交付。首款送样产品为 1Tb TLC 闪存芯片，采用 332 层存储单元堆叠架构，由铠侠日本岩手县北上 Fab2 晶圆厂专属生产。
技术架构：延续 CBA 与 OPS 核心优势
BiCS10 完整沿用了自第八代引入的两项核心底层技术：CMOS 直接键合到阵列（CBA）与节距选通（OPS）。这两大架构有效保障了高层堆叠下的存储密度、单元可靠性与功耗控制的平衡。
CBA 架构通过将存储阵列晶圆与逻辑 CMOS 晶圆分开制造后键合，突破了传统单片晶圆的布线限制，大幅提升了堆叠层数上限；搭配 OPS 技术缩小单元间距，进一步拉高了单位面积存储容量。BiCS9 与 BiCS10 均延续此成熟工艺体系，无需重建全新产线，显著缩短了新品量产爬坡周期。
性能跃升：能效优化适配 AI 数据中心
该代产品 I/O 接口支持 Toggle DDR6.0 标准，最高速率达 4800MT/s，存储密度超过 29Gb/mm²，较 BiCS8 提升 59%。在功耗指标上，BiCS10 表现优异：输出功耗降低 34%，读取能效提升 30%；输入功耗下降 10%，写入能效提升 18%。产品配套兼容 SCA、PI-LTT 协议，主要面向 AI 数据中心及企业级高性能 SSD 市场。
产能布局：北上 Fab2 成唯一量产基地
岩手北上 Fab2 工厂是铠侠与闪迪合资的先进闪存产线，于 2025 年 9 月投产。该厂区专为高层数 3D NAND 设计，除承载 BiCS10 外，亦兼容 BiCS9 制造。厂房配备适配 300mm 高层闪存的沉积、刻蚀、键合全套设备，具备 CBA 双层晶圆键合量产能力，目前是铠侠全球唯一可稳定规模化产出 332 层 BiCS FLASH 的制造基地。
产业竞争：抢占高层堆叠窗口期
当前，AI 大模型与向量数据库驱动企业级高密度存储需求持续走高，3D NAND 已进入高层堆叠迭代周期。三星、SK 海力士等巨头均在推进 300 层以上新一代闪存研发。铠侠与闪迪此次率先完成第十代产品送样，依托北上 Fab2 成熟产线优先验证高端样品，旨在抢占数据中心 SSD 供应链的关键窗口期。
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