随着半导体工艺节点持续缩小，器件可靠性问题日益突出。热载流子注入（HCI）和负偏压温度不稳定效应（NBTI）等老化机制会导致 MOSFET 阈值电压与导通电流随时间发生退化，从而影响电路性能。
为了在设计阶段准确预测器件老化带来的影响，需要建立可靠的器件老化模型。
本次研讨会将介绍 Open Model Interface（OMI）在器件可靠性建模中的应用。结合 Keysight MBP 与 MQA 工具，我们将演示如何建立 HCI 与 NBTI 的老化模型，并完整展示 OMI 建模流程。
通过本次分享，与会者将了解跨平台一致性的 OMI 建模方法，以及在可靠性分析中的实际应用价值。