芯联动力推出 3300V SiC MOSFET，已向核心客户送样

企业披露，这款高压碳化硅器件填补国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用领域的空白，属于AI基础设施高压电源、宽禁带半导体赛道的产品突破。整套基于3300V器件搭建的电源系统方案，能够将整机系统BOM成本降低20%-35%，支撑固态变压器实现更高开关频率、更小设备体积与更高电能转换效率。

该器件依托企业自研8英寸碳化硅工艺平台开发，采用自研高压平面栅SiC MOSFET技术，具备更优的导通电阻与栅电荷综合性能指标。以10千伏中压固态变压器前端电路为例，对比行业主流1200V器件方案，搭载3300V产品后系统母线电压可提升至1800V至2200V，功率电路级联数量减少约60%，配套MOS管、外围无源器件用量同步缩减，PCB布线结构大幅简化，装配与控制环节成本同步下降。

行业公开信息显示，生成式AI算力持续扩张，单机柜功率密度持续提升，头部芯片厂商推进数据中心供电架构向800V高压直流升级，固态变压器成为新一代AI机房供电系统的核心部件；同时该类设备在智能电网、风光储能中压变配电场景同样具备规模化应用空间，高压碳化硅功率器件需求持续释放。长期以来，适配固态变压器的国产高压SiC产品供给存在缺口，相关核心器件依赖海外产品。

芯联动力业务聚焦碳化硅、氮化镓宽禁带半导体一站式解决方案，产品覆盖新能源汽车、AI数据中心电源、工业高压工控赛道，配套国内8英寸碳化硅MOSFET量产产线。目前企业已完成650V至3300V全电压等级SiC MOSFET产品布局，同步规划推出适配3300V器件的高频、高耐压磁性配套元器件，完善固态变压器全链条本土配套供给。

据悉，产品目前仅处于客户送样验证阶段，尚未进入批量量产交付环节。