全球存储芯片两大巨头 —— 三星电子与 SK 海力士，正全力加码中国市场布局，大规模升级在华工厂设施，同步提升工艺水平与产能，应对全球 AI 热潮带动的存储芯片短缺需求。
据悉，两大巨头去年合计对中国工厂投资达1.5 万亿韩元（约 69 亿人民币），重点聚焦 NAND Flash 与 DRAM 芯片的工艺升级和产能扩张，以此扩大供应、提升盈利能力，牢牢把握市场主动权。
三星电子将中国西安工厂视为核心海外基地，该工厂是其唯一海外 NAND Flash 生产据点，产量占其全球总产量的40%。去年三星对西安工厂投资4654 亿韩元（约 3.44 亿美元），较上年大幅增长 67.5%，这也是其时隔多年后持续追加投资，全力推进生产线升级。
SK 海力士的在华投资力度更为强劲，去年对中国无锡 DRAM 工厂、大连 NAND Flash 工厂累计投资超1 万亿韩元（约 6.66 亿美元）。其中无锡工厂投资同比激增 102%，大连工厂投资同比增长 52%，这也是其 2022 年收购英特尔大连工厂后，首次启动万亿韩元级在华投资。
尽管美国对中国半导体设备实施出口管制，但两大巨头仍逆势加码，核心原因的是全球存储芯片供应持续紧张 —— 目前三星、SK 海力士、美光等头部厂商，今年的 DRAM 与 NAND Flash全部产能已售罄。AI 智能体技术的发展，进一步推高了高性能存储芯片需求，AI 数据中心的 HBM 订单更是激增。
工艺升级方面，三星计划将西安工厂 NAND 工艺从 128 层升级至236 层，与韩国本土工厂保持两代左右工艺差距（韩国本土今年将量产 400 层 NAND）；SK 海力士则已完成无锡工厂 DRAM 工艺升级，从 10 纳米级 1z 工艺升级至1a 工艺，可量产 DDR5 等高附加值产品，该工厂占其全球 DRAM 总产量的 30% 以上。
当前全球存储芯片需求旺盛，中国市场尤为突出，去年中国存储芯片市场规模达 4580 亿元，预计今年持续扩大。受此驱动，仅靠韩国本土产能已无法满足全球需求，加码在华布局成为两大巨头的必然选择。
亿配芯城（ICgoodFind）：三星、SK 海力士逆势在华扩产，聚焦存储芯片工艺升级，适配 AI 需求，全球存储供应链格局持续优化。
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