国产 SiC 衬底拿下全球半壁江山，下游器件替代红利才刚刚启动

碳化硅产业迎来结构性分化：上游衬底国产企业实现全球领跑，下游功率器件仍高度依赖进口，叠加新能源车、储能市场放量，器件国产替代迎来黄金窗口。

2026 年全球导电型 SiC 衬底格局彻底改写，天岳先进以 27.6% 市占率登顶全球龙头，8 英寸高端衬底市占达 51.3%；国内厂商整体拿下全球近半数衬底产能，6 英寸产品国内自给率超 58%，彻底摆脱海外材料卡脖子。反观下游器件端，英飞凌、罗姆等海外巨头仍把持七成以上车规 SiC 市场，国内车用 SiC 芯片国产化率不足两成，海外器件连续涨价、交期拉长，供应链风险凸显。

上下游差距源于外延工艺、车规认证、专用设备三重壁垒，但上游完整自主衬底产业链，给国产器件厂商提供独特优势。斯达半导、基本半导体、比亚迪半导体等企业加速布局 6/8 英寸 SiC 产线，车规级模组批量配套国内新能源车企。

需求端增长确定性极强：800V 高压新能源车成为行业主流，SiC 器件可大幅降低电驱损耗、缩短快充时间；储能行业 SiC PCS 渗透率从个位数快速提升至 15%-20%，叠加 AI 算力高压电源新增需求，三重赛道拉动 SiC 器件年增速超 60%。

格局判断：上游衬底国产已完成全球领跑，是国内第三代半导体核心优势；下游功率器件是产业链最大短板，也是未来 3-5 年核心投资、替代主线。

需求预判：车载 + 储能 + AI 算力三大赛道持续放量，2026-2028 全球 SiC 器件复合增速超 30%，供需紧平衡长期维持。

行业机遇

制造 / 采购端：加速导入国产 SiC 器件，分散海外涨价、断供风险；优先选择配套本土衬底、通过车规认证的模组厂商；

产业端：外延工艺、车规可靠性、专用制造设备是器件环节核心攻坚方向，政策与资本持续倾斜。