据《韩国经济日报》消息，三星、SK 海力士等存储巨头已通知客户，2025 年第四季度将把DRAM和NAND 闪存价格上调最多30% ，以应对 AI 驱动的需求激增。这一涨幅略高于预期 ——9 月三星曾计划 DRAM 涨价 15%-30%、NAND 涨价 5%-10%，而花旗、摩根士丹利最新预测，第四季度 DRAM 均价涨幅将达 25%-26%，环比超 10%。
存储芯片加速迈入 “超级周期” 已成市场共识。威刚董事长直言，第四季度只是存储严重缺货的起点，明年供货仍将吃紧。市场恐慌情绪催生囤货潮，国际电子和服务器公司正与三星、SK 海力士洽谈2-3 年长期供应协议，打破以往短约传统。
此轮行情主要由AI与高性能计算需求爆发驱动。美光指出，HBM需求激增显著推高DRAM价格，其晶圆消耗量是标准DRAM的三倍以上；摩根士丹利预计，今年谷歌、亚马逊等科技巨头在AI基础设施上的投入将达4000亿美元。
产业链迅速响应：三星加速研发HBM4，计划近期发布并于年底量产；佰维存储也在推进晶圆级先进封测项目，并加快惠州产能扩建。
价格方面，HBM涨势尤为突出。TrendForce预测，2025年HBM均价同比上涨20.8%，达1.80美元/Gb；另有机构预计，明年将上市的12层HBM4单价将达500美元，较同规格HBM3e高出60%以上。值得注意的是，随着AI投资从训练转向推理，DRAM需求可能进一步增长。韩国KB证券预测，明年非HBM内存的盈利能力或将反超HBM。
对于后市，上海证券看好本轮存储大周期，认为 AI 需求与海外原厂产能限制将支撑 2025 年第四季度涨价趋势持续；华邦电董事长则持保守态度，指出当前 DRAM 供需不平衡，不排除实际需求不及预期，但目前供不应求的现状仍推动价格狂飙。
亿配芯城（ICgoodFind）总结：存储芯片涨价潮已牵动全球产业链，供需格局与技术迭代值得行业高度关注。