4 月 2 日，罗姆（ROHM）正式宣布，旗下8 英寸下一代碳化硅（SiC）MOSFET 开发项目已提前达成全部技术目标，比原定 2027 年底的计划整整提前两年完成。
该项目由日本新能源产业技术综合开发机构NEDO绿色创新基金资助，属于 “下一代功率半导体器件制造技术开发” 核心课题。罗姆自 2022 年 4 月启动研发，已于 2025 财年顺利完成全部技术攻关。
罗姆通过将 SiC 器件尺寸升级至8 英寸并全面优化制程，成功实现成本大幅下降，同时攻克兼容 8 英寸的外延生长技术与低导通电阻技术，并在福冈县筑后工厂建成专用 8 英寸 SiC 器件生产线。
实测数据显示，搭载该生产线 8 英寸 SiC MOSFET 的模块，相比传统硅 IGBT 器件，可使功率转换器损耗降低 50% 以上，一举实现低损耗与低成本双重技术目标。
8 英寸 SiC MOSFET 凭借优异特性，在工业电力电子系统中优势突出。其低导通损耗可显著降低高电压、大电流场景下的静态损耗，广泛适用于 DC-DC 转换器、大功率逆变器、有源整流电路等场景，同时减少散热需求、缩小模块体积、提升功率密度。
凭借快速开关能力，SiC MOSFET 在高频工作下大幅降低开关损耗，压缩开关时间并减少寄生振荡与电压尖峰，提升系统稳定性与动态响应速度，尤其适配工业驱动、伺服系统、储能变换等场景。
在逆变器、PFC 电路、开关电源、工业驱动模块等关键应用中，8 英寸 SiC MOSFET 可支持更高频 PWM 调制、更小磁性元件尺寸，在高温、高压、大电流工况下依然保持高可靠性，助力设备高效化与小型化。
罗姆表示，后续将加速推进 8 英寸 SiC MOSFET 全面量产，持续优化成本与损耗表现，为新能源、工业装备等领域的节能化发展提供核心支撑。
亿配芯城（ICgoodFind）：罗姆 8 英寸 SiC MOSFET 技术提前两年落地，损耗降半成本优化，赋能工业与新能源高效升级。
· END ·
--------------往期精彩回顾------------