大数跨境

国产芯片第一股,逆天改命!

国产芯片第一股,逆天改命! 投研邦
2026-06-23
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在全球功率半导体版图上,英飞凌、安森美等海外大厂浇灌的防线,曾被视为不可逾越的铁幕。


它们有着深厚的技术护城河、庞大的产能规模,以及近乎统治级的良率水平,牢牢占据高端市场份额。


如今,裂口正在出现。


我国本土功率半导体厂商开始出现在全球前十的榜单之上。其中,士兰微更是成为国内唯一进入全球前五的分立器件企业,在巨头环伺的功率半导体市场,生生撕开了一条口子。



“世界前五”,远不是终点。士兰微的目标是坚定不移地追赶国际第一梯队,与英飞凌、安森美等头部企业同台竞技。


有人说它们之间是十倍的体量差距,但士兰微说“路虽远,行则将至;事虽难,做则必成”。


坐“冷板凳”


熟悉半导体行业的人可能知道,半导体产业主要分为种商业模式:IDM和垂直分工


IDM企业,自身统揽从芯片设计,到晶圆制造封测,再到销售的全过程;垂直分工模式下,每个环节均由独立的企业承担


Fabless,即无晶圆厂企业,只负责设计和销售,生产会交给专门的代工厂(Foundry),如台积电、中芯国际,封装再外包给专门的封测厂(OSAT),像长电科技、通富微电等。



垂直分工让芯片设计企业摆脱了重资产经营的“噩梦”,能够轻装上阵,将有限的资金都花在刀刃上,孵化出英伟达、高通等逻辑芯片巨头。


但这种模式在功率半导体领域,并不吃香。


因为逻辑芯片(GPU、CPU等)追求极致的“小”,芯片越小,容纳的晶体管数量越多越好,依赖设计公司的设计灵感。


功率半导体有自己的游戏规则。它是控制电能转换的核心,像AI电源、特高压输电等都离不开功率半导体。


相比于尺寸的小型化,它更加注重的是转换效率和可靠性,而后者又要靠制造工艺来实现。这也是为什么英飞凌、安森美等头部企业清一色采用IDM模式,几乎没有例外。



国内不少功率半导体厂商一开始也是Fabless模式,轻装上阵,后来陆续都转向了IDM模式。


扬杰科技目前IDMFabless相结合,华润微前身本来就是晶圆代工厂,斯达半导正由FablessIDM......


士兰微在成立之初也是一家没有晶圆厂的纯设计公司,而且是国内第一家上市的民营芯片企业但缺少代工产能始终困扰着士兰微,于是2001年开始公司毅然踏上了转型IDM的征程。


有了晶圆厂,切入更加注重产品构造工艺优化的功率半导体市场便顺理成章。


从拥有第一条5英寸芯片生产线,到如今5-12英寸全覆盖,士兰微固定资产规模从2002年的2.65亿元扩张到2025年的77.63亿元。



其投入的时间和精力不可谓不多,但回报同样显著。


公司在功率半导体这条路上越走越稳,2002-2025年营收从2.65亿元增长到130.5亿元,翻了近50。前方英飞凌的背影,已经逐渐清晰。


事实证明,只要方向对了,就不怕路远。


抢占高地


商业模式之外,士兰微在产品技术上也在紧跟海外的步伐。


与存储芯片一样,海外功率半导体大厂逐渐退出中低端市场,激烈角逐高端市场。


例如被誉为电动汽车“心脏”的IGBT模块,就是典型的高端功率半导体产品。它能占到新能源汽车整车成本的6%-10%,仅次于电池。



英飞凌IGBT产品早已经更新到第七代,一人霸占全球近三分之一的份额,而且国内斯达半导和时代电气也已经来到第六代。


IGBT同样是士兰微的“大本营”。只不过,士兰微的IGBT产品代际较英飞凌落后2代,主流产品仍是第五代。


好在公司的第五代IGBT产品,性能走在同行前面。例如,在2026国产车规芯片新品十强榜单中,士兰微高居第一位


千万不要小瞧了这个榜单,坐在评委席上的,不是各大整车厂,就是专业检测机构。比亚迪半导体、兆易创新、佰维存储等屈居士兰微之下,可见公司产品的含金量。


士兰微表示,2025年公司8吋线、12吋线IGBT芯片产能都处于满载状态



而在硅基器件之外,各大功率厂商也已经开始了新一轮抢滩赛。


争夺的焦点是第三代半导体


SiC为代表的第三代半导体材料拥有远超前两代的卓越性能。就连当下被视为AI电源终极方案的固态变压器都离不开SiC的支持。


面对这样一个能改变固有行业格局的市场,海外功率巨头都想在其中抢先一个身位。



士兰微,当然也不例外!


目前,士兰微子公司士兰明镓已经组件了1万片/月的6SiC-MOSFET芯片生产能力,第四代SiC芯片开始大规模出货。


赛点在更高端的8英寸上。英飞凌2025年一季度向客户交付首批产品,而士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线在2025年第四季度正式通线,月产能有5000片,预计2026年下半年投产


也就是说,士兰微和国际龙头虽然在传统功率器件上相差较大,并且这些差距远非一朝一夕能够弥补。


但它们在SiC领域的差距要小得多,甚至SiC有可能成为士兰微弯道超车的关键。


200亿加码


不难发现,2025年下半年以来,士兰微的行动明显加快,动作频频。


除了推进造价70亿元SiC产线建设,还计划斥资200亿元建设一条对标国际领先水平、以IDM模式运营、拥有完全自主知识产权的12英寸高端模拟集成电路芯片生产线


此前,士兰微在分离器件领域能进入全球前五,可在模拟芯片市场却是排不上号的。


2025年,公司分立器件和集成电路两大业务看似平分秋色,营收占比分别为48.88%37.72%



实际上,该集成电路业务中多的是IPM模块和MEMS传感器产品,真正纯粹的模拟芯片较少,更别说是高端模拟芯片了。


200亿的产能一旦建成,便能将公司缺的这块模拟芯片补齐,届时公司的业务结构将随之更加完善。


此外,士兰微或许也是为了坐稳AI算力的牌桌。


相比于GB200服务器架构,英伟达VR200电源模块的成本显著上升了32%,意味着随着算力飙升,对AI电源的要求越来越严苛。



AI电源管理芯片正是模拟芯片的一大构成部分。


英飞凌、德州仪器等功率龙头已经开启了第二轮涨价潮。其中英飞凌宣布202671日起进行提价10%-20%提价产品就覆盖AI电源芯片


涨价无非源于供需错配,从中足以窥见AI算力对高端模拟芯片的巨大需求量。


无独有偶,电源管理和服务器电源系统同样是德州仪器2026年第一季度数据中心收入大增的核心动力之一。


根据2025年年报,士兰微的Ⅱ代SiC-MOSFET已通过国内顶级大厂的严苛认证,应用于AI算力中心电源上,实现大批量出货,同时配套销售的还有高性能中低压的MOSFET



不管是SiC-MOSFET,还是MOSFET,本质上还是功率器件,而非模拟芯片。


士兰微坦言,目前国内高端模拟芯片国产化率仍处于低位,市场需求高度依赖海外进口。而公司年产54万片高端模拟芯片一旦建成,便能填补上这块空白。


结语


士兰微的突围,绝非偶然。


从一家无晶圆厂,到拥有第一条晶圆产线,再到如今各个尺寸全覆盖,士兰微将“忍耐”刻在了骨子里。


虽然公司短期内仍然无法撼动英飞凌的地位,但从籍籍无名到全球前五,士兰微已经用行动证明:公司最不怕的就是追赶。


以上分析不构成具体买卖建议,股市有风险,投资需谨


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