全球铺天盖地的AI狂潮让人忘却一切烦忧，众人好似都不记得智能手机的疲弱不振，有多久没有换PC了，但快乐后还是得面对现实，AI股价狂飙、估值提高最后要能反应在企业获利上。路遥知马力，要给AI时间来证明它不是泡沫，而是真金白银的商机。
只是，AI狂潮最大受惠者之一的台积电在今日的投资人会议上讲出了大实话，AI眼前的绚烂无法掩盖目前全球宏观经济十分疲弱的现实，不只是中国市场复苏晚于预期，而是全球各个地区和应用都需求不佳，因此宣布2023年全球展望二度下调至负成长10%，并资本支出将达原先释出的低标。
台积电指出，对2023年全球半导体 (扣掉存储) 产业营收维持之前预估的减少4～6%，晶圆代工产业则由衰退7～9% 下修至扩大衰退14～16%。原本台积电预估2023年营收减少1～6%，目前也宣布二度下修至衰退10%。
在资本支出方面，预计2023年资本预算会达到320亿～360亿美元范围的低标，估计先进制程会占70～80%、特色制程占10～20%，其他则是封装技术相关支出。再者，2023年折旧费用相较前一年将会成长二十位数中段百分比，主因是因为3nm制程技术的量产。
对于AI狂潮，台积电仍是给出非常乐观的远景，认为AI相关需求成长对台积电是正向的，生成式AI需要更高的运算能力和互连频宽，推动半导体含量增加。无论是CPU、GPU、AI加速器、机器学习相关ASIC共同点都需运用先进技术和强大的晶圆制造设计生态系统，这些都是台积电的优势，AI相关客户也已经卡位3nm制程。
目前台积电在AI上遇到主要的问题是后端CoWoS的产能不足，无法100%满足客户需求，目前正在加紧增产，预计要到2024年底后端产能吃紧的问题才会纾解。
台积电表示，如果定义CPU、GPU和AI加速器等执行训练和推论功能的服务器AI处理器，其需求约占台积电总营收的6%。预测AI相关需求在未来5年将以近50%年复合成长率增加，在台积电营收占比也将增加到十位数低段区间(low teens)。
台积电指出已在长期资本支出和成长展望中，纳入针对AI需求部分假设，HPC平台有望在未来几年成为长期成长的主要引擎，并贡献最多成长。虽然总体潜在商机仍在评估中，但生成式AI和大型语言模型LLM会强化台积电对结构性大趋势推动公司长期成长，寻找更多潜在成长空间。
即使AI需求很旺，仍无法抵消其他领域的需求不振事实。
台积电指出，全球所有的产业都不好，总体经济情势持续走软，加上中国需求复苏较预期缓慢，下游客户用很谨慎的态度来管理库存水位，预计库存调整将持续到年底，要到2023年第四季结束时IC设计客户的库存水位才能更为健康。至于展望2024年是否转佳？仍是要看全球的宏观大环境。
在今日投资人会议上的另一个信息是，台积电美国亚利桑那州晶圆21厂量产4nm制程的时间延后一年，从原本2024年量产延后至2025年产出。
台积电指出，亚利桑那州晶圆厂于2021年4月开始兴建，现正进入处理和安装最先进及精密设备的关键阶段，但因为遇在半导体设施中熟练安装设备专业人员数量不足，目前正在努力改善中，包括从台湾调派经验丰富的相关专业人员，以在短时间内培训当地技术员工，以在短时间内培训当地技术员工。预期N4制程技术量产时间将推迟至2025年。
日本熊本厂则是采用12/16nm和22/28nm制程技术，并按照进度有望在2024年末进入量产。
欧洲地区则正在与客户和伙伴接洽，根据客户需求和政府的支持水准，评估在德国建立专注车用技术的特殊制程晶圆厂的可能性。中国南京厂扩建28nm制程技术的计画则是持续。
从成本角度来看，海外晶圆厂起始成本高于在台湾的晶圆厂，主因是海外晶圆厂的规模较小、整体供应链成本较高，相较于台湾成熟的半导体生态系，海外半导体生态系目前处于早期阶段。
针对定价方面，台积电也强调将公司定价将会维持策略性地反映价值，其中包含了在地理位置上反映的价值。因此，台积电认为有能力吸收海外晶圆厂较高的成本，即使拓展海外产能，公司长期毛利率可以维持53%以上，且可持续的股东权益报酬率高于25%是可实现。
先进制程技术进展上，台积电3nm制程(N3)已进入量产且具备良好良率。看到N3旺盛需求，预期在 HPC和智能手机相关应用支持下，今年下半年N3将强劲成长，预计在2023年N3 制程将占全年晶圆营收的中个位数(mid-single digit)百分比。
N3E是3奈米家族延伸，具更好的性能、功耗和良率，同样应用在HPC和智能手机上。 N3E已通过验证并达成性能与良率目标，预计在2023年第四季量产。
N2制程技术方面，台积电指出目前研发进展顺利，将如期在2025年进入量产。 N2将采用奈米片(Nanosheet)晶体管结构，奈米片技术展现了绝佳的能源效率，N2将效能及功耗效率提升一个世代，以满足日益增加的节能运算需求。
此外，N2技术平台亦发展出背面电轨(backside power rail)解决方案，非常适合用在HPC相关应用。在基线技术上，背面电轨将使速度提升10%～12%，逻辑密度提升10%～15%，目标是2025年下半年向客户推出背面电轨，可在2026年量产。目前N2技术在HPC和智能手机相关应用上，也有许多客户参与。
