美国在2022年10月实施更为严格的出口管制后，给予部分半导体厂如三星电子、SK海力士、台积电等一年的豁免。随着一年豁免期将于2023年10月到期，近期传出美国将延长豁免的期限。延长一年豁免意思是，在期间内引进厂房设备不需要另外申请许可证，可保持正常生产。
部分人士认为这是美国放宽限制的前兆，也有立场不同者认为这样做法失去出口管制的意义。事实上，未来这种出口管制豁免采取“一年一签”的形式，可能会是新常态，这也是美国2022年10月出台出口管制时所“设计”的小心机。
这样做法是用出口管制的名义，牵制着三星、SK海力士、台积电在中国大陆晶圆厂的技术发展和产能扩充状况。美国不会真的不给出口管制的豁免，因为如果不给豁免权，等于让这些半导体大厂原本在中国大陆多累积十多年的巨大投资无以为继，基本上不至于如此，这也凸显中美脱钩的难度十分巨大。
美国用“一年一签”的方式延长豁免，正好可以每年都跟这几家半导体厂谈谈条件，是要收紧还是放宽出口管制？都可以再评估评估。
例如日前美光的部分产品不能在中国销售，美国就警告三星、SK海力士的存储产品不能递补美光在中国的空缺，为什么三星、SK海力士多少得听美国的？除了设备技术属于美商的原因，三星西安厂和SK海力士无锡厂的一年一签出口管制豁免都是美国的谈判筹码。
除了出口管制豁免权的延长，这一年来美国出台的政策中，还有两个规定影响了这些半导体厂。
其中，最具体的冲击是美国出台的芯片法案规定拿到补助款的半导体厂，在未来十年要限制在中国大陆等国家的扩充产能。
关于10年不能扩充产能的规定，三星和SK海力士受到的影响远比台积电大很多，这有两个原因。第一，三星和SK海力士的存储芯片产能大幅依赖西安厂和无锡厂，相形之下，台积电南京厂的产能占全球产能比重很小。
第二，NAND Flash/DRMA厂的技术推进必须是最尖端、最先进的技术，否则不具成本竞争力。但晶圆代工厂不一样，代工厂可以分为成熟制程或是先进制程。因此，即使台积电或其他晶圆代工厂被限制生产先进制程技术，还是可以转而生产成熟制程40nm/55nm等，可以有折衷做法。但存储厂不一样，要扩充产能就一定要是最先进的制程技术，不然就是赔本生产。
另一个比较实质的影响是，2022年9月起，美国也规定高阶GPU不能销往中国，直接影响英伟达的H100和A100产品销售给中国客户，但同样也是有一年豁免权，也是快要到期了。
除了英伟达的高阶GPU，受影响的还有AMD，以及中国其他GPU新创公司如壁仞科技，因为壁仞曾经宣称自己的产品效能远远高于英伟达，此豪语一出，美国出口管制立刻快马飞来。
