因此，这一波利基型存储 DRAM 涨价潮是否能带动真正大宗的标准型 DRAM 价格上涨，还需要进一步观察，要看后市是否能有补货潮即时跟上。
整体来看，中国手机厂明年会让 4G 手机强势退场，因此手机厂对于 5G 手机相关芯片备货的意愿会大幅增加。
不过，手机厂真正大举备货应该是落在明年第二季左右，明年主流旗舰型手机都是从 8G 芯片起跳，对整个 DRAM 产能消化量可观。
再者，眼前整个 DRAM 芯片应用的结构早已扭转，不再是以 PC 应用为中心，DRAM 芯片最大的应用产品已经是手机，估计消耗 50% 以上的 DRAM 芯片产能。
由此可知，5G 手机厂一旦启动备货，足以为全球的 DRAM 产业带来一波非常可观的盛况荣景。
然而，从基本面观察，在等待 5G 手机需求真正腾飞之前，中间还有很多因素会影响 DRAM 供需。例如，华为把荣耀品牌分拆独立后的表现，也可能牵动整个手机产业出现大幅变化，是加速 5G 手机前进，或是让 5G 在大规模普及之前，出现一些小泡沫。
总之，5G 时代的来临，对整个 DRAM 产业会是一个十年难见的超级大循环。可是，这样逻辑未必会出现在 3D NAND 产业上。
首先，明年上半年有各大 NAND Flash 厂大量转进 128 层技术的产能大举开出，产能大量出现势必会压抑价格。不过，中间可能会出现一些良率不稳定，带动短暂的产能短缺现象。
另外，新玩家长江存储每月几十万片的产能即将加入战局，长期对于既有 3D NAND 国际大厂也是一个很大压力。
除了供给大增之外，在需求端上，手机搭载 256G 的存储容量可能已经到顶，当然也可以往 512G 的存储容量移动，那手机会变得很贵，是否卖得动是一大问号。
总结一下，原本预计 5G 对于 DRAM 需求倍增的效应会在明年出现，现在却因为晶圆产能吃紧，排挤到 SDRAM 投片产能，间接导致利基型存储芯片价格提前发动攻势。
不过，这样的 SDRAM 产能排挤效应是否能发酵到明年 5G 手机大厂备货之时，仍要观察一下。再者，明年存储大厂的 128 层技术的产能大举开出，市场需求是否能消化得了这些新产能，更是另一个疑问。
