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三星晶圆代工订单接不完,今年或将放手让DRAM缺货涨价

三星晶圆代工订单接不完,今年或将放手让DRAM缺货涨价 问芯
2021-01-06
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导读:三星好忙,三星到底有多忙?除了高端工艺要不断追赶台积电,无论在 7nm、5nm 还是 3nm,都以 “决一死


三星好忙,三星到底有多忙?


除了高端工艺要不断追赶台积电,无论在 7nm、5nm 还是 3nm,都以 “决一死战” 之姿要拼过台积电之外,又要忙着应付成熟工艺产能大爆满的现状。


日前三星已经调兵遣将 DRAM 产能转去生产全球大缺货的 CIS 芯片,以满足 CIS 客户的订单需求。



近两年全球 8 寸产能大爆满,陆续被 CIS 芯片、电源管理芯片、显示屏驱动芯片、指纹辨识芯片等产品预订一空,三星在成熟工艺的晶圆代工业务现况也是被客户追着跑,但就是没多余产能可以接单。


这样晶圆代工产能缺翻天的现状,对全球 DRAM 产能而言或将是个天大的好消息。


众多皆知未来在 5G 时代,智能手机对于 DRAM 需求量是倍数增加;可是,身为存储龙头的三星电子对于 2021 年 DRAM 业务的资本支出规划并不打算大幅增加。


其中一个原因,是三星会将一座 DRAM 厂的产能转去生产 CIS 芯片上。因为晶圆代工生意太好了,CIS 订单满手,三星更想借机获取 CIS 龙头 Sony 的市场份额,因此罕见做出此决定。


另一个原因,市场分析师认为三星的新管理阶层倾向于维持 DRAM 价格稳定,以保有该产品线较好的利润,因此至少在 2021 年上半年以前未打算有大幅扩增 DRAM 新产能的决定。


近期 DRAM 市场供给紧俏,也是因为美系存储大厂美光在台湾桃园的厂房 12 月发生停电事件,导致产能减损。


另外,SK 海力士也在 2020 年宣布以 90 亿美元买下英特尔的 NAND 事业部门,暂时无瑕大举冲刺 DRAM 产能。在三星、SK 海力士两大 DRAM 供应商都没有大规模扩产的计划下,2021 年 DRAM 价格可望有一番荣景。



CIS 芯片需求大爆发


一般半导体工艺制程上,逻辑工艺和存储工艺的机台设备彼此不相通,只有 CIS 是少数和存储工艺非常相近的产品。


力积电(原力晶)原本是一家 DRAM 芯片供应商,后来转型做晶圆代工,也是从 CIS 产品线切入,就是因为 DRAM 和 CIS 工艺彼此互通性很高。这次三星也因为 CIS 订单爆满,决定转一座 DRAM 厂来生产 CIS 芯片,在技术转换上没太大问题。


据了解,三星原本单月 CIS 芯片产能约 10 万片,年销售额约 42.6 亿美元,将 DRAM 产能转到 CIS 芯片后,三星的 CIS 产品线产能将扩增至 13 万片。


CIS 芯片需求大爆发主要是受惠 5G 智能手机、自动驾驶等需求蓬勃发展,CIS 扮演着 “眼睛” 角色,用量大幅成长。


根据调研机构预估,2020 年全球 CIS 市场规模约 197 亿美元,预计到了 2024 年将成长至 270 亿美元。


以销售额来看全球 CIS 产业排名,龙头 Sony 市场份额超过 40%,其次是三星也超过 20%,再来是豪威市占率也逼近 10%; 其他供应商还有格科微、东芝、 Panasonic、SK 海力士等。


位居第二的三星更想趁这一波大趋势,扩产 CIS 芯片来追赶 Sony。而 Sony 则是订下从目前 44% 市占率朝 60% 迈进的目标。


在应用层面上,目前手机应用占 CIS 产业超过 70%,其他还有汽车、安防、消费性电子、工业等应用范围。



超越台积电是三星 “终生” 目标


在晶圆代工领域上,三星与台积电捉对厮杀的方向不变,双方从 7nm 一路比拼到 5nm 和 3nm 工艺。


2020 年全球晶圆代工产业规模约 682 亿美元,2021 年~2024 年更预计成长至 738 亿美元、805 亿美元、873 亿美元翰 944 亿美元。台积电目前以龙头之姿拥有 53% 市场份额,排名第二的三星仅 17%,仍是有相当大程度落差。


三星在 5nm 工艺技术上,主要是拿下高通骁龙 888 代工订单,另外还有用在自家 Exynos 系列的处理器芯片。


对比台积电在 5nm 工艺技术上仍是客户满手,最主要客户仍是苹果,约占台积电 5nm 工艺 80% 产能,包括 iPhone 的 A14 处理器芯片、Mac 系列采用的 M1 处理器芯片等。另外,2021 年还有 AMD、联发科、赛灵思、博通和比特币等应用采用 5nm 工艺。


在 3nm 工艺技术上,台积电和三星会有非常重大的分水岭,各自以不同方式来延续摩尔定律的寿命。


台积电在 3nm 工艺上维持 FinFET 架构,目标是在已知的技术基础上,继续带给客户有成本竞争力和高性能的产品 。


三星和英特尔在 3nm 的策略上是截然不同,都是一副拼了的态度。三星在 3nm 工艺上首度采用环绕闸极 GAA 架构,而英特尔采用的 nanosheet / nanowire 技术也是类似 GAA 架构,透过变成水平的方式让闸极可以 360 度的接触鳍(通道)。


台积电、三星、英特尔在 3nm 工艺技术上的道路选择,除了反映出企业性格文化,也投射出彼此当下的行业竞争地位,而做出不同的决定。


台积电在技术实力上攀上全球顶峰后,认为继续在 FinFET 架构上可以展现最高价值。而三星一直想尽各种方式在技术上超越台积电,自然会选择技术难度较高的 GAA 技术,一但成功,有机会弯道超车。


另外,三星在处理器芯片上的策略也大幅转弯。一改过去三星的处理器只用在自家手机上,5nm 芯片也与国内手机大厂 Vivo 合作,等同是三星新一代的 Exynos 1080 行动处理器将会由 vivo 的产品来作首发。


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