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突发!联电、英特尔宣布携手开发12nm制程,联手“突袭”台积电
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突发!联电、英特尔宣布携手开发12nm制程,联手“突袭”台积电
问芯
2024-01-25
3
导读:联电与英特尔今天共同宣布,双方将合作在英特尔美国亚利桑那州厂开发和制造12nm制程平台,以因应行动、通讯基础建
联电与英特尔今天共同宣布,双方将合作在英特尔
美国
亚利桑那州厂开发和制造
12nm
制程平台,以因应行动、通讯基础建设和网路等市场快速成长需求,预计
2027
年投入生产。
这也代表,英特尔在实现
2030
年晋身为全球第二大晶圆代工厂的路途上,联电成为了英特尔重要的合作伙伴,
时间
点
就在台积电与英特尔的晶圆代工大战打得如火如荼之际,这发展十分吸睛。
联电与英特尔合作开发的
12nm
制程,将在英特尔位于美国亚利桑那州
Ocotillo Technology Fabrication
的
12
、
22
和
32
厂进行开发和制造,透过运用晶圆厂的现有设备,大幅降低前期投资,并最佳化利用率。
两家公司表示,将致力满足客户需求,通过生态系合作伙伴提供的
EDA
和智慧财产权
IP
解决方案,合作支援
12nm
制程的设计实现,
12nm
制程预计在
2027
年投入生产。
联电表示,与英特尔这项长期合作,是结合英特尔位于美国的大规模制造产能,和联电在成熟制程上丰富的晶圆代工经验,以扩充制程组合,同时提供更佳的区域多元且具韧性的供应链,协助全球客户做出更好的采购决策。
英特尔资深副总裁暨晶圆代工
服务
(
IFS
)总经理潘(
Stuart Pann
)表示,双方策略合作展现为全球半导体供应链提供技术和制造创新的承诺,也是实现英特尔在
2030
年成为全球第
2
大晶圆代工厂的重要一步。
联电共同总经理王石表示,联电与英特尔在美国合作制造
12nm
鳍式场效电晶体
FinFET
制程,是追求具成本效益的产能扩张,和技术升级策略的重要一环。
王石说,这项合作将协助客户顺利升级到
12nm
制程技术,同时受惠扩展位于
北美
市场产能带来的供应链韧性。联电期待与英特尔策略合作,利用双方互补优势,扩大潜在市场,同时大幅加快技术发展时程。
【声明】内容源于网络
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