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英弗耐思荣膺2025武汉市“创业十佳”,以自研Dynatrack驱动芯片赋能高端制造

英弗耐思荣膺2025武汉市“创业十佳”,以自研Dynatrack驱动芯片赋能高端制造 英弗耐思
2025-08-01
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导读:2025年7月31日,由武汉市经济和信息化局主办的2025年武汉市创业十佳大赛暨“创客中国”武汉市决赛圆满落幕

2025年7月31日,由武汉市经济和信息化局主办的2025年武汉市创业十佳大赛暨“创客中国”武汉市决赛圆满落幕。经过激烈角逐,英弗耐思电子科技(武汉)有限公司凭借“Dynatrack多段式有源驱动芯片”项目,从全市423个参赛项目中脱颖而出,成功斩获武汉市“十佳创业企业”称号。武汉市人民政府副市长李湛、湖北省经信厅副厅长刘卫军等领导出席颁奖仪式。




创新突破:打破高端驱动芯片技术壁垒









作为国内车规级芯片国产替代的领军企业,英弗耐思电子科技此次获奖项目聚焦功率半导体的核心痛点。其自主研发的Dynatrack多段式有源驱动芯片,通过三大技术创新实现行业突破:

1.动态跟踪闭环控制技术

实时调节驱动电流,突破传统恒定电流驱动局限,显著抑制开关过程中的电流/电压过冲,电压尖峰抑制35%,电磁干扰(EMI)降低30%+;

2.能效革命性提升

开关损耗降低30%以上,能量转换效率超99%,助力系统功率密度提升40-50%;

3.高频高密度适配能力

SiC/GaN等第三代半导体器件的高频化、小型化提供核心支撑,已通过AEC-Q100车规认证。




应用落地:构建多元产业生态









目前Dynatrack技术已构建跨领域解决方案矩阵:



硬核底蕴:全自主技术链筑牢发展根基








英弗耐思核心团队由微电子与智能机器人领域专家组成公司已获国家高新技术企业、湖北省专精特新企业等资质,持有40余项自主知识产权,核心技术获得2024全国颠覆性技术创新大赛优胜奖。20257月,团队在功率开关驱动领域的最新研究成果打破全球已报道GaN驱动芯片的最高能效纪录,以 “An Adaptive Three-stage GaN Gate Driver with Peak Miller Plateau Voltage Tracking and Voltage Tailing Suppression For 36.4% Switching Loss Reduction”为题,被集成电路设计领域顶级期刊JSSC接收,标志着公司技术路线获得政府与产业的双重认可。



此次荣获武汉市“十佳创业企业”称号,不仅是对英弗耐思技术实力与创新成果的高度认可,更是对国产高端芯片突破“卡脖子”难题的有力肯定。未来,英弗耐思将持续以Dynatrack技术为核心驱动力,深化与产业链伙伴的协同创新,加速车规级芯片国产替代进程,为新能源汽车、高端装备、人形机器人等战略性新兴产业注入“芯”动能,助力武汉打造全国高端制造创新高地。

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