在全球 AI 算力需求爆发的背景下，先进制程产能瓶颈始终受制于光刻机技术。当地时间 6 月 17 日，全球唯一 EUV 光刻机供应商 ASML 在 SPIE EUVL 2026 大会上公布最新技术路线图：一方面加速推进 0.55NA High-NA EUV 的大规模量产，另一方面正式发布下一代 Hyper-NA 长期蓝图。这一动向再次引发外界对中国半导体追赶路径的关注。
ASML High-NA 技术迈入量产关键期
ASML 披露，High-NA 技术产业化已进入关键阶段。首台 EXE:5000 于 2023 年第四季度出货，2024 年第三季度完成首片晶圆曝光。升级版 EXE:5200B 已于去年第四季度交付，搭载 2025 年亮相的 1000W 激光光源后，产能提升至每小时 175 片。
截至 2025 年 12 月，全球累计生产 High-NA 晶圆达 50 万片。相比传统 0.33NA EUV，0.55NA 技术能将关键层曝光次数从 3 次减至 1 次，大幅降低制程复杂度。ASML 资深技术高管 Chris DeRuiter 表示，High-NA 量产势头良好，将成为未来数年先进制程的核心支撑。
Hyper-NA 蓝图定档 2030 年代
大会备受关注的焦点是首次官宣的 Hyper-NA 技术。该技术数值孔径将突破 0.75，目标是在更先进节点维持单次曝光的可行性。ASML 技术高级副总裁 Jos Benschop 称，该技术预计于 2030 年代中后期落地，旨在承接 2033 年 A7 节点之后的市场需求。
需澄清的是，行业常将 A7 称为"0.7nm 代次”，但这仅是命名规则（类似 A14 被称为 1.4nm），与芯片实际物理尺寸无关，它代表了当前 High-NA 光刻机单次曝光能力的极限。
华为“韬定律”开辟差异化路径
在 ASML 沿袭传统光刻缩微路线的同时，华为选择了另一条技术路径。在上月举办的 ISCAS2026 大会上，何庭波正式发布“韬定律”，提出以“时间缩微”替代“几何缩微”，通过逻辑折叠技术同步提升芯片性能与晶体管密度。
华为计划于 2031 年实现与 1.4nm 制程同等的芯片水平，今年秋季发布的麒麟 2026 将成为该技术的首个量产案例。
两条技术路线的并行表明，半导体产业不再仅有光刻缩微这一条路径。对于受地缘限制无法获取先进 EUV 设备的中国企业而言，系统级创新或是实现差异化追赶的可行方向。
