微软宣布在日投资29亿美元加速日本AI！；台积电JASM熊本厂设立微芯科技专用40nm产线

1、微软将在日本投资29亿美元，提升AI基础设施和云计算

微软公司将在未来两年内投资29亿美元，以提升其在日本的超大规模云计算和人工智能（AI）基础设施，这是微软在该国最大的投资。

微软总裁Brad Smith会见日本首相岸田文雄后宣布了这一消息。岸田文雄正在美国进行九年来日本领导人的首次正式访问。微软在一份声明中表示，还将扩大其数字培训计划，在未来三年内为超过300万人提供人工智能技能。该公司计划在日本开设一个专注于人工智能和机器人技术的实验室，同时深化与日本政府的网络安全合作。

2、台积电JASM熊本厂设立微芯科技专用40nm产线

Microchip Technology（微芯科技）扩大了与台积电的合作伙伴关系，台积电在日本先进半导体制造公司（JASM）建立了微芯科技专用的40nm制造生产线。

JASM是台积电在日本熊本县的控股制造子公司，40nm工艺将帮助微芯提高供应链弹性。微芯在美国拥有一系列传统硅制造业务，与台积电的交易包括投资额外技术以提高内部制造能力和产能，同时建立更多地域选择性和供应链多样性，涵盖晶圆厂、代工厂、封装测试厂以及OSAT合作伙伴。

3、英特尔公布新人工智能芯片细节，对抗英伟达主导地位

4 月 9 日，英特尔在周二的 Vision 活动上详细介绍了其人工智能芯片的新版本，该芯片瞄准了 Nvidia ，在为人工智能提供动力的半导体领域占据主导地位。

科技公司正在寻找人工智能所需稀缺芯片的替代来源。英特尔表示，其新型 Gaudi 3芯片训练特定大型语言模型的速度比 Nvidia 上一代 H100 处理器快 50%。它还能够计算生成式人工智能响应（称为推理的过程），速度比英特尔测试的某些型号的 H100 芯片更快。英特尔和 Advanced Micro Devices一直在努力生产一系列引人注目的芯片和构建人工智能应用程序所需的软件，这些应用程序可以成为英伟达的可行替代品。到 2023 年，英伟达控制了大约 83% 的数据中心芯片市场，其余 17% 的份额大部分由谷歌的定制张量处理单元 (TPU) 持有，但该公司并不直接销售这些单元。

4、SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM内存量产

据韩媒报道，SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。进入 20~10nm 制程后，一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代，1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述，为第六个 10+ nm 制程世代。三星方面称呼上一世代 1b nm 为“12nm 级”。

三星近期在行业会议 Memcon 2024 上表示，其计划在今年年底前实现 1c nm 制程的量产；据行业消息人士透露，SK 海力士内部已制定在三季度量产 1c nm DRAM 内存的路线图。SK 海力士计划提前做好准备，在 1c nm 内存通过行业验证后立即向微软、亚马逊等主要客户供货。

5、消息称苹果 Apple Watch Series 10 将采用新显示屏技术，可提升续航

据供应链消息人士透露，今年即将发布的 Apple Watch Series 10 将采用一项全新的显示屏技术，该技术能够降低功耗、提高效率，进而带来更持久的电池续航。

韩国科技媒体报道称 Apple Watch Series 10 将升级 OLED 显示屏，采用低温多晶氧化物 (LTPO) 薄膜晶体管 (TFT) 技术。目前，Apple Watch 的 OLED 屏幕仅在两个开关晶体管上使用了 LTPO TFT 技术，其余部分则采用了效率较低的低温多晶硅 (LTPS) 技术。

6、AMD推出全新第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列自适应 SoC

AMD宣布扩展 AMD Versal™ 自适应片上系统（ SoC ）产品组合，推出全新第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列自适应 SoC，其将预处理、AI 推理与后处理集成于单器件中，能够为 AI 驱动型嵌入式系统提供端到端加速。

这些第二代 Versal 系列产品组合中的首批器件以第一代为基础进行构建，具备强大的全新 AI 引擎，预计每瓦 TOPS 较之初代 Versal AI Edge 系列器件提升至多 3 倍，同时全新高性能集成 Arm® CPU 预计可提供比第一代 Versal AI Edge 和 Versal Prime 系列器件至高 10 倍的标量算力。

7、高通推出新款物联网 Wi-Fi 芯片 QCC730：功耗降低 88%，集成 Matter

高通宣布推出最新的微功耗 Wi-Fi 芯片 QCC730，承诺提高覆盖范围和数据传输速率，同时消耗更少的电量并提供直接的云连接。

这款双频微功耗 Wi-Fi 芯片针对物联网设备，官方声称与上一代产品相比，每次数据传输的功耗降低了 88%。QCC730 芯片还带来了直接云连接和 Matter 集成，并具有开源 SDK 和 IDE 以及通过软件堆栈卸载云连接的功能。它被定位为物联网应用蓝牙的替代品，可以在托管和无主机模式下运行。

8、星思半导体完成超5亿元B轮融资，系基带芯片设计企业

近日，星思半导体完成超5亿元B轮融资，本轮投资方包括中电数据基金、鼎晖香港基金、蓝盾光电、华创资本、朗润利方、兴鼎基金、浙江雷可澳等，老股东沃赋创投继续追加投资。本轮融资完成后，星思将继续加大在低轨卫星通信领域全套解决方案的投入，保障和支撑卫星互联网重大战略项目。

星思半导体作为一家平台型基带芯片设计企业，持续深耕5G、5G-A、5G NTN、通感一体等先进技术研发和产业应用，已经在手机直连卫星、卫星通信终端、机载通信、无人机自组网、eVTOL通感、车载通信和智能座舱、5G FWA固定无线接入、应急通信、集群通信、工业物联及行业通信领域。

9、安建半导体获超2亿元C1轮融资，SiC模块封装产线在建

近日，安建半导体宣布C1轮融资圆满收官，获得超过2亿元融资，由北京国管顺禧基金及中航投资领投，龙鼎投资、一元航天及万创投资跟投。募集资金将主要用于开发及量产汽车级IGBT与SiC MOS产品平台，扩建汽车级IGBT及SiC模块封装产线，扩充销售及其他人才团队，增加营运现金流储备等。

安建半导体是一家从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的公司，其现有低电压的SGT-MOSFET（分裂栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOSFET（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（绝缘栅双极晶体管）三条成熟的产品线。安建半导体官方消息显示，公司拥有由香港科技大学教授、大中华区唯一一位从事硅基功率半导体研究的美国电子电气工程师学会院士（IEEE Fellow）所领衔的业内顶尖技术团队。