英特尔暂停以色列250亿美元工厂扩建计划；鸿蒙智行首款轿跑 SUV：智界 R7 官图公布

英特尔暂停以色列250亿美元工厂扩建计划

近日有消息称，英特尔正在暂停以色列一个大型工厂项目的扩建，该项目原计划向该芯片工厂额外投入150亿美元。

英特尔去年12月表示，将扩大目前正在建设的位于以色列南部的Kiryat Gat工厂的100亿美元建设计划，这项耗资250亿美元的项目预计将获得以色列政府32亿美元拨款补助。原预计于2028年投产，并至少运作至2035年。情报部门没有透露下一阶段暂停的原因。英特尔在一份声明中回应表示，这种规模的项目存在许多依赖关系，导致工作延误，并称“以色列仍然是我们全球主要制造和研发基地之一，我们将继续全力致力于该地区的发展。”

LG显示获批为iPhone 16 Pro Max供应OLED屏幕

LG显示（LG Display）已获得客户苹果的批准，为iPhone 16 Pro Max供应OLED面板。消息人士称，这领先于三星显示（Samsung Display），这是前所未有的。今年5月，LG显示和三星显示均已获得为iPhone 16 Pro供应OLED面板的资格。虽然LG显示的OLED生产能力低于三星显示，但苹果的及时批准将使其缩小与同行的差距。

iPhone 16 Pro和Pro Max的及时批准也与LG显示去年的表现形成鲜明对比，当时它几乎失去为首批iPhone备货供应面板的机会。去年，由于这一延迟，竞争对手三星显示获得了iPhone 15 Pro机型的大部分初始订单，大大提高利润率。

鸿蒙智行首款轿跑 SUV：智界 R7 官图公布，华为与奇瑞联手打造

华为常务董事、终端 BG 董事长、智能汽车解决方案 BU 董事长余承东今日官宣，鸿蒙智行将迎来首款轿跑 SUV，华为与奇瑞联手打造智界 R7。

余承东表示：“R 来自 Revolution，代表突破与颠覆。智界 R7 采用全新轿跑 SUV 设计，有时尚动感的溜背造型，内部空间将突破大家的想象！再加上华为领先的智能黑科技，智界 R7 在产品实力上超越传统豪华汽车品牌！它为智慧出行时代的消费者提供了更好的轿跑 SUV 新选择，值得大家期待！” 汽车博主 @孙少军 09 称，目前可以确认新车将采用享界 S9、问界 M9“同款”设计语言，搭载华为最新的 ADS 3.0智驾系统和“途灵”平台，新一代鸿蒙座舱“黑科技”都有可能上车。其定位将仅次于问界 M9，预测价格在 30 万~40 万区间。

华为回应“投资柔宇”：未有此计划，也未提出投资要求

华为官方针对网络上出现有关“华为提出投资柔宇科技”的言论，进行了回应：此属误传。实际情况是，华为未有此投资计划，也未提出投资要求。

曾担任柔宇科技独立董事的中央财经大学中国企业研究中心主任刘姝威在微信朋友圈发布了一篇在一场闭门会议上的发言摘要，其中透露有关柔宇科技和其创始人刘自鸿的多个细节。刘姝威声称，在柔宇科技初创时期，华为曾提出投资柔宇科技，专门为华为供应柔性屏，但柔宇科技拒绝了华为的投资。刘自鸿希望柔宇像三星公司一样，独立完成所有产品的开发，独立制造所有产品，这明显超出了其能力圈。

台积电德国晶圆代工厂将招募近2000名员工，2027年量产

6月10日，中国台湾有关机构主办的活动、论坛在柏林召开，德国及欧盟半导体相关企业代表、媒体、智库等200人出席。台积电德国晶圆代工厂，即欧洲半导体制造公司（ESMC）总裁Christian Koitzsch表示，为加速建厂与合作，未来3~5年将有数百名台积电工程师进驻德国德累斯顿，此外ESMC也计划招募近2000名员工，锁定德国、欧洲人才。希望结合中国台湾技术优势，以及德国工作效率及严谨纪律性等特质，打造世界级团队。

据悉，ESMC为台积电与博世、英飞凌、恩智浦等欧洲半导体大厂共同出资设立，规划于2027年开始量产。Koitzsch表示，ESMC所建设的无尘室面积约为4.5万平方米，工厂量产之后的规模效应，可以降低生产成本，提高晶圆制造的竞争力，也能够为供应链创造许多就业机会。

澜起科技发布全新第六代津逮®能效核CPU

澜起科技于正式发布其全新第六代津逮®能效核CPU（简称C6E），该产品专为高密度和横向扩展工作负载而设计，在密度、能效、吞吐量和可扩展性方面进行了全面优化。

澜起科技津逮®C6E产品，基于英特尔®至强®6 能效核（代号：Sierra Forest），通过了澜起科技安全预检测（Mont-PrC®）测试，是面向本土市场的x86架构服务器处理器。C6E单颗CPU最高支持144个核心，最大三级缓存容量达108MB。产品支持单路或者双路设计，支持4组UPI用于CPU之间互联，最高UPI速度达24GT/s。支持8个内存通道，DDR5内存速度最高达6400MT/s。在IO方面，C6E支持PCIe® 5.0和CXL® 2.0扩展，最多支持88个PCIe®通道。

CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率

无晶圆厂环保科技半导体公司Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ，将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用。新型 ICeGaN™ P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ，支持多kW功率应用，并提供超高效率。

ICeGaN功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗，并实现了0V关断从而最大限度地减少反向导通损耗，其性能优于分立 eMode GaN 和其他现有技术。新的封装提供了低至0.28 K/W的改进的热阻性能，与市场上任何其他产品比较具有相当或更加优异的性能。其双面DHDFN-9-1（双散热器 DFN）封装的双极引脚设计有助于优化 PCB 布局和简单并联以实现可扩展性，使客户能够轻松处理高达多kW的应用。经过设计新型封装不仅提高了产量，其侧边可湿焊盘技术，更便于光学检查。

一塔半导体完成Pre-A轮数千万融资，已成功研发外延系统和退火系统设备

一塔半导体官方消息显示，一塔半导体（安徽）有限公司顺利完成数千万Pre-A轮融资，投资方为合肥海恒科创产投基金及相关产业投资人，此轮融资资金主要用于MOCVD外延系统和RTP快速热处理系统设备的研发、生产制造和销售。

据悉，一塔半导体（ETA-Semitech）致力于半导体制程设备研发，已成功研发外延系统（MOCVD）和退火系统（激光退火/RTP），公司拥有多项技术方案，包括自主创新SiC/GaN外延生长方案，快速热处理（RTA）、热氧化（RTO）、热氮化（RTN）、离子注入退火、金属合金、功率芯片背面激光退火等解决方案，持有多项专利和软件著作权。

赛迪半导体完成数千万元A+轮融资，聚焦笔电PD & USB4 ReTimer芯片开发

赛迪半导体天津有限公司微信公众号发文称，赛迪半导体（天津）有限公司完成数千万元A+轮融资。本轮融资由韦豪创芯领投，钧石创投和艾瑞同辉跟投，融资主要用于技术研发、市场拓展、团队扩充等方面。

赛迪半导体官方消息显示，赛迪半导体团队从事USB-C IC/IP设计开发，产品聚焦笔电PD & USB4/Thunderbolt Re-Timer，并延伸至车载PD 及车载 SerDes (Re-timer)系列。