科技巨头大裁员！9000人面临失业；芯片大厂Microchip出售晶圆厂

传IBM在美国大裁员！9000人面临失业

IBM正在美国多个地点裁减数千个工作岗位，其Cloud Classic部门受到的打击尤其严重。该公司尚未公开承认这些裁员，但内部人士表示，这是IBM重组和将工作岗位转移到海外（尤其是印度）的努力的一部分。

报告估计，大约9000个职位可能面临风险，包括Cloud Classic集团的25%和Cloud集团（一个独立的业务部门）的 10%。裁员发生在达拉斯、纽约、罗利等城市以及加利福尼亚州的各个地点。IBM咨询、云基础设施、企业社会责任、内部IT和销售等多个部门的员工都受到影响。一些员工通过个人通知得知自己被解雇，而其他人则在内部会议上得知这一消息。

传iPhone 18系列A20芯片将采用台积电2nm工艺

本周早些时候，投资公司广发证券分享了多篇关于苹果未来芯片的研究报告。在其中一份报告中，该公司表示iPhone 18系列的A20芯片将采用台积电的第三代3nm工艺N3P制造，而在另一份报告中则称该芯片将使用台积电更先进的2nm工艺N2。

在一封电子邮件中，该公司首席苹果分析师Jeff Pu随后澄清，他认为A20芯片将采用N2工艺制造，因此关于芯片使用N3P工艺的信息应被忽略。此前Jeff Pu还曾指出，A20芯片的一个升级将提升苹果AI套件Apple Intelligence的性能。他表示，这款芯片将采用台积电的CoWoS先进封装技术，能够让芯片的处理器、统一内存和神经引擎之间的集成更加紧密。CoWoS适用于需要高带宽和低延迟的应用，例如AI、机器学习以及高端计算任务。

三星加速推进EL-QD技术 3~5年量产

三星电子正在加速开发电致发光量子点（EL-QD）技术，以期在显示器领域占据压倒性领先地位。EL-QD有可能重塑高端面板市场，目前该市场由有机发光二极管（OLED）技术主导。通过利用其附属公司的能力，三星电子计划在未来几年内将EL-QD商业化。

据业内人士透露，三星电子视觉显示（VD）部门正与SAIT（原三星综合技术研究院）和三星显示一起推进EL-QD开发。EL-QD被认为是真正的量子点（QD）技术。QD是纳米级（即十亿分之一米）的半导体粒子，其发光颜色由其大小和特性决定。到目前为止，由于技术挑战，QD技术仅应用于薄膜，而光源则依赖于使用LED或OLED的混合方法。这一限制导致人们批评现有的QD技术只是其真正潜力的部分实现。

黄仁勋自曝：英伟达将斥资五千亿美元，采购美国制造芯片

3月20日消息，据媒体报道，英伟达首席执行官黄仁勋在近日谈话中透露了公司的重大采购与生产计划。黄仁勋表示：未来四年，英伟达将斥资数千亿美元购买在美国制造的芯片和其他电子产品。黄仁勋称：“总体而言，未来四年内我们将采购总价值可能达5000亿美元的电子产品。”此外，他还补充道“我认为，我们可以轻松地在美国生产数千亿美元这类产品。”

目前，英伟达设计的最新芯片以及用于数据中心的服务器芯片，已经在台积电和鸿海位于美国的工厂进行生产。与此同时，黄仁勋还表示，英伟达正与台积电、富士康等公司合作，将制造业务转移到美国本土。谈到美国对全球大多数国家的芯片限制是否会影响他的公司。他指出，“全球各地都有公司，人工智能已经成为主流。人工智能不是什么神奇的技术。它是一种不可思议的技术。但它可以用于一切。”

Microchip宣布将出售晶圆厂

Microchip（微芯科技）宣布，已聘请麦格理集团负责其位于亚利桑那州坦佩的晶圆制造工厂（“Fab 2”）的营销和销售。该决定是Microchip 先前宣布的制造重组计划的一部分，旨在支持其提高运营效率和盈利能力的战略目标。

Fab 2工厂包括已安装和运行的半导体设备，将在麦格理大宗商品和全球市场业务部门的半导体和技术团队的指导下进行营销和销售。Microchip在 Fab 2 工厂的产品制造和技术将分别转移到俄勒冈州和科罗拉多州的 Fab 4 和 Fab 5 工厂。这些设施仍然是Microchip 长期生产和产能计划的关键。

意法半导体推出STM32WBA6系列MCU新品

最近，意法半导体（ST）重磅升级STM32WBA产品系列，推出STM32WBA6系列新品，能够在单芯片上同时支持蓝牙低功耗（Bluetooth LE）和IEEE 802.15.4标准的器件。

这款全新产品配备高达2MB的闪存与512KB的RAM。它采用双区闪存设计，可为关键任务系统实现实时固件更新。在功耗管理方面，STM32WBA6也进行了进一步优化，支持STOP2模式，在实时时钟开启的情况下仅消耗5µA电流，相比STOP1模式的7.2µA，节能表现更为优异。这种新的STOP模式是为满足客户需求而生，为设备在运行状态和待机状态之间，提供了全新的中间状态选择。

Nexperia推出采用X.PAK封装的1200V SiC MOSFET

Nexperia（安世半导体）正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。

此次新品发布精准满足了众多高功率（工业）应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，该系列器件借助顶部散热技术的优势，得以实现卓越的热性能表现。这些器件在电池储能系统(BESS)、光伏逆变器、电机驱动器以及不间断电源(UPS)等工业应用场景中表现卓越。此外，在包括充电桩在内的电动汽车充电基础设施领域同样能发挥出众效能。

科瑞尔获数千万A+轮融资，聚焦IGBT/SiC模块封装设备赛道

近日科瑞尔科技宣布完成数千万元A+轮融资，资方为浙创投，资金将用于产品研发与运营资金补充。

科瑞尔成立于2014年，以中高功率IGBT/SiC模块封装设备为核心，提供整线解决方案，高精度贴片机、全自动微米级插针机、SiC倒装贴合设备等十余种核心产品。

松应科技完成数千万元天使轮融资，系实时物理 AI 仿真平台公司

据中科创星消息，松应科技于近日宣布完成天使轮融资，由中科创星领投，上海天使会、接力天使、奇绩创坛跟投，融资资金将用于团队建设和扩大研发。

松应科技核心技术团队来自华为、海思、英特尔、腾讯等，拥有10年以上相关前沿行业的技术研发和产品工程经验，自主研发的物理AI仿真系统ORCA，为AI与物理实体产业连接架起桥梁。