玄戒 O1 公布后小米与高通续签协议；联发科首颗2nm芯片9月完成流片

 小米自研玄戒 O1 公布后官宣与高通续签合作协议，首批采用下一代骁龙 8 旗舰处理器

小米与高通在手机芯片供应方面一直有着良好合作，双方庆祝长达 15 年的合作，并宣布达成多年协议。两家公司在一份联合新闻稿中宣布了这一消息。与往年一样，小米今年将再次成为首批采用下一代旗舰骁龙 8 系列芯片的厂商之一，用于其高端智能手机 —— 不仅针对中国市场，也针对全球市场。

在协议期内，小米的旗舰智能手机产品将持续搭载骁龙 8 系移动平台，覆盖多个产品代际，并将在中国及全球市场销售，出货量预计逐年增长。今年晚些时候，小米也将成为首批采用下一代骁龙 8 系旗舰移动平台的厂商之一。

 传英特尔考虑出售其网络与边缘计算业务部门“NEX”，专注PC和数据中心芯片

5月20日消息，据外媒报道，三位知情人士透露，英特尔正在考虑剥离其网络和边缘业务（Network and Edge，简称 NEX）。这一举措是英特尔新任首席执行官陈立武的战略调整的一部分，旨在专注于公司传统优势领域 —— 个人电脑（PC）和数据中心芯片。

一位知情人士称，英特尔已在考虑何时以及如何剥离其NEX业务部门，并已与可能对该交易感兴趣的第三方进行了接触。然而，据两位知情人士表示，英特尔尚未正式启动NEX业务的正式出售程序，也未开始征集潜在买家。其中一位消息人士称，最近几周英特尔已与多位投资银行家进行了接触，为出售流程挑选顾问。但另一位消息人士称，英特尔尚未聘请银行家。

联发科蔡力行：首颗2nm芯片9月完成流片

在近日举行的COMPUTEX（台北国际电脑展）上，联发科CEO蔡力行表示，公司首颗2nm芯片预计将在今年9月完成流片（Tape out），与3nm芯片相比，性能将提升15%，能耗降低25%，且未来将会采用A16、A14制程。

蔡力行表示，联发科在疫情期间成功进入5G市场，尤其在旗舰手机市场取得重大成功。自家旗舰手机SoC的业绩从2022年至2025年预计增长350%，市占率将位居全球第一。蔡力行对6G时代的到来充满期待，认为联发科将凭借AI技术在产业中占据有利位置。

郭明錤：亚马逊考虑推出大尺寸折叠设备，挑战华为和苹果

据行业分析师郭明錤透露，亚马逊正在开发一款类似华为周一发布的MateBook Fold 非凡大师的大尺寸折叠设备。

郭明錤表示：“苹果在大尺寸折叠设备市场面对的竞争对手可能不只是华为。我的调查显示亚马逊内部也正在讨论类似的产品，目前尚未正式开案，若开发顺利则预计在 2026 年底或 2027 年量产 (苹果的 18.8 英寸折叠产品预计在 2027 年底或 2028 年量产)。”

消息称联想首颗自研芯片“SS1101”采用 2+3+2+3 十核CPU 架构，基本是天玑 8400 水平  

博主 @数码闲聊站发文透露，联想首颗自研芯片型号为“SS1101”，采用 2+3+2+3 十核 CPU 架构，拥有 2 颗 X3 超大核主频 3.29GHz、G720-Immortalis GPU (核心数≥10)。该芯片 GeekBench 6 跑分单核超 2000、多核超 6700，基本是天玑 8400 水平。

该博主还在评论区回复了部分用户的留言：针对该芯片是否为手机芯片，博主回复“平板的，没有 BP 基带”；针对该芯片的制程情况，博主表示“未公开，之前联想流片过 5nm，猜测是 5nm”。此前有消息称，联想 YOGA Pad 14.5 元启版平板将搭载“SS1101”自研芯片（64 位 10 核心 Arm v8 架构，频率至高可达 3290MHz），运行 ZUX OS。

 英飞凌推出CoolGaN G5中压晶体管

英飞凌推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。

在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD）较大，基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长，那么这种情况就会更加严重，导致效率低于目标值。而英飞凌新推出的 CoolGaN G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管，能显著缓解此类问题，适用于服务器和电信中间总线转换器IBC）、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源（PSU）和电机驱动等应用场景。

MDD辰达半导体推出全新SGT系列MOSFET

在服务器电源、工业驱动及新能源领域，MOSFET的性能直接决定系统的能效与可靠性。为满足高密度、高效率需求，MDD辰达半导体推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N沟道增强型MOS)凭借3.5mΩ低导通电阻与屏蔽栅优化技术，为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。

MDDG03R04Q采用MDD的Trench工艺，结合屏蔽栅结构，通过优化载流子迁移路径与电场分布，实现：1、极低导通电阻:RDS(on)低至3.5mΩ (VGS=10VID=20A)，显著降低导通损耗。2、快速开关性能：优化栅极电荷(Qg)与软恢复体二极管，支持高频应用。3、工业级可靠性：100% UIS测试认证，确保雪崩能量耐受能力。

 具身智能机器人企业魔法原子完成新一轮数亿元战略融资

近期，具身智能机器人公司魔法原子宣布完成新一轮数亿元战略融资。本轮投资方包括战略产业资本禾创致远、芯联资本，以及财务投资人华映资本、晓池资本、元禾厚望，老股东追创创投和翼朴基金持续追加投资，新资金将用于具身智能核心技术迭代研发，VLA模型搭建，加速推动机器人在工业、商业场景落地。

2024年12月，魔法原子完成一轮1.5亿元的融资，由追创创投领投、翼朴基金跟投。短短半年内，该公司已完成两轮数亿元融资。魔法原子将与追觅科技、芯联集成等产业资本方深入合作，加速人形机器人在工业场景的规模化落地，助力产线智能化升级改造。

RISC-V芯片企业跃昉科技完成超2亿元B轮融资

近期，广东跃昉科技有限公司在B轮融资方面取得显著进展，总融资额超2亿元人民币。本轮融资由珠海新质生产力投资基金领投，澳门大学发展基金会、新捷利等机构联合参与，所募集的资金将主要用于公司高性能RISC-V CPU产品的研发和市场拓展。

官方资料显示，跃昉科技专注于RISC-V、人工智能（AI）和特定领域加速架构（DSA），致力于打造高性能云、边、端的芯片，为AI加速和数据中心提供产品和全栈解决方案。成立五年来，跃昉科技已完成边、端芯片产品布局，推出多款基于RISC-V架构的SoC芯片产品，覆盖AIoT的感知、控制及边缘计算领域，芯片累计销量达到数百万颗。依托于全栈技术能力，跃昉科技围绕智慧能源、智慧物流、智慧城市、智慧工厂等领域推出30多种行业解决方案。