美国宣布：征收高达3403%关税！；传马斯克进军半导体封装

 美国宣布：征收高达3403%关税！

美国商务部周一（4月21日）宣布，将对从东南亚进口但主要由中国工厂生产的太阳能电池和电池板征收至高达3403.96%的关税。反倾销税和反补贴税将针对来自柬埔寨、泰国、越南和马来西亚的太阳能电池（包括组件）。这些产品被发现受益于外国公司的不公平定价以及其政府向外国公司提供的不公平补贴。

太阳能电池和电池板进口将面临根据产品原产国而定的反补贴税：柬埔寨最高3403.96%，泰国最高799.55%，越南最高542.64%，马来西亚最高168.80%。中国的一些主要制造商，例如昊能光电、天合光能和晶科能源正面临针对特定公司的关税。这是继去年一些公司提起的贸易诉讼之后，美国政府做出的最终裁定。

  紧跟AMD、苹果传英特尔下单台积电2纳米

台积电2纳米制程预计今年下半年进入量产，除了日前公开相关下单讯息的AMD，以及一般预期将采用的大客户苹果之外，市场最新传出英特尔也已加入台积电2纳米制程首批客户行列，而这三大客户的产品也正在台积电新竹厂区紧锣密鼓准备试产，以利后续调整良率。

针对上述传闻，台积电表示，不评论市场传闻，也不评论特定客户业务。英特尔对于相关消息也不予置评。去年二月时任英特尔执行长的基辛格证实，英特尔将把两款处理器关键的运算芯片块（Compute tile）首度交给台积电生产。

传三星停产DDR4 6月截止订单

近日，业界消息指出，三星电子已正式通知客户，将于2025年4月终止1z制程8Gb LPDDR4存储器生产（EOL，End of Life），并要求客户在6月前完成最后买进订单，预计最迟于10月前出货。

厂商分析，主要是因为中国大陆低端手机用的LPDDR4订单被当地存储厂拿走，三星未来将聚焦LPDDR5以上的高端产品。业界人士称，三星有意停产部分DDR4产品主要有两个原因，一是，集中资源于获利能力更高的HBM与DDR5产品线，二是中国大陆存储厂持续扩张DDR4产能导致市场竞争加剧与利润压缩。

英特尔详细展示Intel 18A工艺：性能提升25%，功耗降低36%

英特尔将在即将举行的2025年VLSI研讨会上详细介绍其Intel 18A制造技术（1.8nm）相对于Intel 3（7nm）工艺的优。正如预期的那样，新的生产节点将在功耗、性能和面积（PPA）指标方面带来显著提升，从而为客户端和数据中心产品带来切实的优势。

英特尔声称，与采用Intel 3工艺技术制造的相同模块相比，Intel 18A制造工艺在相同电压（1.1V）和复杂度下，性能提升25%，在相同频率和1.1V电压下，功耗降低36%。在较低电压（0.75V）下，Intel 18A工艺性能提升18%，功耗降低 38%。此外，与Intel 3相比，Intel 18A工艺的面积缩小率始终达到0.72倍。Intel 18A制造技术是该公司首个采用环绕栅极（GAA）RibbonFET晶体管并采用PowerVia背面供电网络（BSPDN）的节点，这两项特性使其在PPA方面具有显著优势。

马斯克进军半导体封装

业界传出，除台积电、英特尔外，SpaceX 也挥军面板级封装，预计将自建700X700 毫米的封装产线，为面板级封装产业注入强心针，也是目前市面上量产的最大尺寸，预计今年就会向设备厂商拉货。

业界指出，SpaceX 采用的技术为扇出型面板级封装(FOPLP) 技术，可整合更多不同晶片，并直接在面板上进行重布线层(RDL)，但与台积电所瞄准的线距2um 的方向不同，其产品线距多在15um 以上，尺寸也远大于现阶段市面上常见的510X515、600X600 与310X310。业界认为，马斯克向来偏好掌握自有技术，就如同特斯拉先前就曾自行开发TPAK 封装技术运用在自家电动车上，甚至推进至下一代，主要就是透过封装技术升级，降低散热、提高性能与缩小体积等，也将同一套概念套用在SpaceX 上。

 兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash

业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。

GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24nm工艺节点，支持内置8bit ECC、3V和1.8V两种工作电压，以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式，为用户提供多种组合设计方案。与传统SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在ECC设计上摒弃了原有的串行计算方式，实现复杂ECC算法的并行计算，这极大地缩短了内置ECC的计算时间。

Bourns推出三款全新车规级片状电感器系列

Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，宣布推出全新CWF1610A、CWF1612A  和 CWF2012A 系列车规级片式电感。这三款符合AEC-Q200 标准的电感产品，具备高电感值、高电流处理能力及高自谐振频率，并采用小型化封装设计。凭借其优异的高频功率处理与滤波效能，这些新系列电感非常适合应用于射频讯号处理、谐振电路、去耦、噪声滤波，以及多种汽车、电源、音频与行动装置设计中的低电流 DC 电源线，为电源转换提供优质解决方案。

Bourns® CWF1610A、CWF1612A  和CWF2012A 系列均采用铁氧体磁芯绕线结构，实现低阻抗与优异的宽带噪声滤波效能。以CWF1610A 系列为例，其饱和电流范围为 200 mA 至 1700 mA，额定电流则为 200 至 1400 mA，并具备 -55 至 +125°C 的宽广工作温度范围，满足各种严苛应用环境的需求。

 江苏铭芯先进获中汇金资本数千万元股权投资

日前，中汇金资本旗下管理基金完成对江苏铭芯先进科技有限公司数千万元的股权投资，以支持其产业化发展。

铭芯先进主营超高频射频毫米波芯片与雷达模组的研发、制造，产品面向智能高速近感探测、星链通讯等领域，团队来自于华为、北理工、三星、海太等知名企业与高校，并获得中科图灵、华软投资、兰璞等机构股东的大力支持。

仁芯科技斩获数亿元A轮融资

近日，国内车载SerDes芯片领域先锋企业仁芯科技成功斩获A轮融资，本轮融资首关数亿元，所筹资金将投入产品的创新与研发，同时保障关键项目量产的供应链运营。此次融资吸引陕汽集团、长江汽车电子、移为通信、杭州临空产业基金、杭金投基金、浙江大华投资等产业资本积极入局。值得注意的是，多位老股东连续多轮加注，充分彰显出市场和投资人对仁芯团队的充分信任和高度认可。

南京仁芯科技有限公司，成立于2022年2月，主营业务为汽车芯片设计，首颗22nm高性能车载SerDes 芯片产品回片已点亮，将于2024年二季度量产。该芯片产品主要适用于车载高清摄像头传输等应用场景，支持1.6Gbps~16Gbps的传输速率，15米远的传输距离，插损补偿能力可达到30dB以上，速率和工艺目前领先同行1-2代。