小米汽车：将供应商支付账期统一至 60 天内；四座8英寸晶圆厂关闭！

 小米汽车：将供应商支付账期统一至 60 天内

小米汽车发文称，坚决落实国家及相关主管部门就促进汽车产业高质量发展、保障供应链稳定作出的部署要求，将供应商支付账期统一至 60 天内。将以切实行动，携手上下游伙伴，共同推动中国汽车产业高质量发展。

此外，中国一汽、东风汽车、广汽集团、赛力斯集团、吉利汽车集团、长安汽车（含阿维塔）、比亚迪、奇瑞汽车、小鹏汽车、长城汽车均已作出供应商支付账期不超过 60 天的承诺。中国汽车工业协会提出倡议，包括所有企业严格遵从公平竞争原则，依法依规开展经营活动；优势企业不为垄断市场，挤压其他主体生存空间，损害其他经营者合法权益；企业在依法降价处理商品以外，不以低于成本的价格倾销商品，不进行诱导消费者的虚假宣传，扰乱市场秩序，损害行业和消费者根本利益；所有企业应对照国家相关法律法规进行自查整改。

 消息称本田将投资日本芯片制造商Rapidus

据报道，本田汽车正准备投资日本芯片制造商Rapidus，在日本境内采购下一代汽车所需的半导体。本田正考虑在截至明年3月的2025财年下半年入股Rapidus，投资总额将达到数十亿日元。包括丰田、NTT和索尼集团在内的现有股东已向这家芯片制造商投资总计73亿日元（约合5040万美元）。

本田计划自行开发自动驾驶汽车的半导体，并委托外部代工厂生产，与Rapidus合作将有助于稳定采购下一代汽车的芯片。据悉，目前Rapidus的主要股东是丰田汽车。通过投资Rapidus，本田和丰田将确保在日本生产的芯片来源，这也将有助于Rapidus开始量产尖端产品并找到客户。

恩智浦计划关闭四座8英寸晶圆厂，并将生产线转向12英寸

近日，据报道，恩智浦计划关闭四座 8 英寸晶圆厂，其中一座位于荷兰奈梅亨，另外三座则在美国境内。而奈梅亨作为恩智浦在荷兰本土除埃因霍温总部外的另一大关键驻地，业务包含制造、研发、测试、技术使能和支持功能，在新产品导入过程中起到重要作用。

此外，恩智浦与世界先进合资企业 VSMC 在新加坡建设的 12 英寸晶圆厂将于 2027 年开始量产，有助于降低恩智浦产能建设的风险。这家工厂专注于130nm至40nm混合信号、电源管理及模拟芯片的生产，预计2029年实现月产5.5万片晶圆的规模，成为恩智浦在亚太地区的重要制造枢纽。

英伟达与慧与合作建设新超级计算机，采用下一代芯片

英伟达及慧与科技周二表示，他们正在与莱布尼茨超级计算中心合作，使用英伟达的下一代芯片构建一台新的超级计算机。该项目名为“蓝狮（Blue Lion）”超级计算机，将于2027年初向科学家开放，采用英伟达的“Vera Rubin”芯片。

英伟达在德国汉堡举行的超级计算会议上宣布了这一消息。此前，英伟达宣布，美国劳伦斯伯克利国家实验室也计划明年使用该芯片构建系统。另外，英伟达还表示，德国国家研究机构于利希研究中心（Forschungszentrum Julich）的另一台采用其芯片的超级计算机Jupiter已正式成为欧洲最快的系统。

谷歌启动新一轮自愿离职计划涉及搜索、营销部门

据报道，6月10日，谷歌向其多个部门的员工提供了自愿离职计划，包括知识与信息（K&I）部门、核心技术单位以及营销、研究和通信团队。知识与信息部门（K&I）是谷歌搜索、广告和商务部门的所在地。此次自愿离职计划是谷歌继2023年裁员12000人后，为继续减少人员数量所采取的最新举措。目前尚无法确认此轮自愿离职计划影响了多少员工。

这项“自愿退出计划”适用于美国员工，同时一些团队还要求居住在办公室50英里范围内的远程工作者返回办公室。谷歌发言人Courtenay Mencini表示：“今年早些时候，我们的一些团队为美国谷歌员工推出了带有遣散费的自愿退出计划，现在更多团队正在提供该计划以支持我们未来的重要工作。”

移远通信发布KCM0A5S 模组，点亮智慧城市新图景

全球领先的物联网整体解决方案供应商移远通信宣布，正式推出专为智慧城市与智能公用设施打造的KCM0A5S高性能Wi-SUN 模组。凭借高性能、低功耗、远距离传输三大核心优势，该模组将革新智能表计、街道照明、工业物联网等场景的物联网连接体验。

移远KCM0A5S模组搭载Silicon Labs EFR32FG25 Sub-GHz低功耗无线SoC芯片，配备97.5 MHz主频的 ARM Cortex-M33 处理器，内置 256KB RAM 和 2MB Flash 存储器，性能强劲。其支持 Wi-SUN场域网络（FAN）1.1 协议，在 470–928 MHz 频段运行，基于 IPv6 的网状网络技术保障数据长距稳定传输。

新洁能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品

新洁能正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET，电压涵盖25-150V系列产品，构建全场景解决方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列凭借革命性的性能升级，为消费级、工业级以及车规级应用领域树立新标杆。

新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用国际先进屏蔽栅沟槽工艺技术，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的开关特性和导通特性，其特征比导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）相比上一代产品降低33%，品质因子FOM（导通电阻Ron*栅极总电荷Qg）降低31%，具备更高的电流密度、功率密度和鲁棒性。并且三代40V SGT-MOS通过三维沟槽结构创新与低阻晶圆工艺技术升级，提高全温度区间Ron稳定性，突破传统导通损耗与散热的极限平衡。

智联安完成数亿元D+轮融资，布局卫星通信与蜂窝芯片双赛道

近日，国家级专精特新“小巨人”企业、国内领先通信芯片厂商北京智联安科技有限公司完成数亿元D+轮融资。本轮融资由北京市商业航天和低空经济产业投资基金领投，资金将主要用于公司多款卫星通信芯片与蜂窝通信芯片的研发加速与市场拓展。

公开资料显示，智联安由清华校友吕悦川、钱炜于2013年在北京创办，十年来坚持通信芯片核心技术全部自研的技术路线，已陆续推出NB-IoT、LTE Cat.1bis、RedCap定位芯片等重量级产品。团队成员来自高通、展锐、爱立信等公司，平均从业年限超15年。

喻芯半导体获得数千万元PreA++轮融资，用于加速存储芯片研发

近期，武汉喻芯半导体有限公司继获得聚辰半导体及厦门睿芯悦创投资数千万元PreA+轮投资后，再获得黄石市产业发展基金数千万元PreA++轮投资。两轮融资将用于加速存储芯片研发，扩大国产存储模组研发与销售，以及下一代存储产品研究等多方向的研发与市场开拓。

公开资料显示，喻芯半导体是一家从事存储芯片设计研发、模组设计、测试与销售等服务的公司，为全球客户提供高性能的存储芯片设计、完整的DRAM和NAND Flash相关存储产品，包括SPI NAND、PPI NAND、Raw NAND、嵌入式存储（eMMC/DRAM颗粒）、DRAM Module、SSD、microSD等存储解决方案。