电子发烧友网综合报道，日前，外资投行高盛在最新报告中指出，中国目前可量产的光刻机技术仍停留在 65 纳米级别，而荷兰 ASML 公司已实现 2 纳米以下的极紫外光刻（EUV）技术量产。基于技术代差与产业发展周期推算，高盛认为中国光刻机技术至少落后 ASML 最新产品 20 年。
值得注意的是，此前美国华盛顿智库“安全与技术中心”（Center for Security and Emerging Technology）也表达过类似观点。该组织表示，尽管中国企业在芯片制造领域进步显著，但在核心的光刻机产业上，国产设备与荷兰 ASML、日本尼康等国际头部企业仍存在较大差距，光刻技术已成为制约中国半导体产业发展的首要难题之一。
高盛报告显示，EUV 光刻机的核心组件包括高数值孔径（High-NA）物镜、13.5 纳米波长光源、超精密光学系统等，这些关键零部件主要依赖全球供应链，且核心技术高度集中于美国、欧洲企业。例如，高功率激光器主要来自美国 Cymer 公司（ASML 子公司），精密光学镜头则由德国蔡司集团独家供应。目前，这些关键技术及相关部件大多受到美国出口管制（尤其是原产于美国的核心部件），而中国企业暂未完全具备自主制造这些关键零部件的能力。
此外，高盛在报告中提及，从 65 纳米技术到 2 纳米（甚至 1.4 纳米）技术的突破，ASML 累计花费约 20 年时间，研发投入超过 400 亿美元。对比来看，中国光刻机企业目前的研发投入规模与技术积累深度，尚未达到 ASML 同期水平。
据悉，高盛得出“落后 20 年” 结论的核心依据是：2023 年 9 月，我国工信部公布的最新研发成果 —— 国产干式光刻机，其性能与 ASML 于 2005 年推出的 1400i 光刻机相近。该国产光刻机采用 193 纳米激光波长，分辨率可达 65 纳米，套刻精度≤8 纳米；而 ASML 在 2015 年基于 1400i 优化升级的 1460k 光刻机，虽分辨率同样为 65 纳米，但套刻精度提升至≤5 纳米，显著提高了芯片制造的良品率与生产效率。不过，这台国产干式光刻机的所有子部件已实现国产化，打破了中国在中低端光刻设备领域长期依赖进口的局面。据工信部推广目录显示，目前国产光刻机及相关配套设备已初步形成产业小生态，这将为中国半导体产业链的自主化发展提供重要支撑。
尽管高盛报告对中国光刻机发展持较为悲观的态度，但中国在该领域并非毫无突破。根据公开报道，上海微电子装备（集团）股份有限公司（SMEE）研发的 600 系列光刻机已实现 90 纳米工艺量产，并计划在未来推出 28 纳米浸没式光刻机样机，逐步向中高端技术领域迈进。
在核心技术研发层面，于“2024 黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛决赛” 中，哈尔滨工业大学先进技术研究院申报、航天学院赵永蓬教授团队研发的 “放电等离子体极紫外（EUV）光刻光源” 项目荣获一等奖。该光源具有能量转换效率高、制造成本低、设备体积小、技术落地难度较低等优势，可稳定输出中心波长为 13.5 纳米的极紫外光，能够满足当前极紫外光刻技术的核心需求，为我国在高端光刻领域的突破及解决高端制造 “卡脖子” 问题奠定了重要基础。
另有报道指出，中国科研团队已探索出一条与 ASML 不同的 EUV 技术路径 —— 激光诱导放电等离子体（LDP）技术。该技术通过激光触发高压电场放电，激发靶材产生极紫外光（EUV），相比 ASML 采用的高能脉冲二氧化碳激光器技术，具有设计更简洁、设备结构更紧凑、能耗显著降低、制造成本优势突出等特点，为我国绕开现有技术壁垒、实现 EUV 光刻机自主研发提供了新方向。
正如新加坡毕盛资产管理公司创始人兼联席首席投资官王国辉所言：“只要有一家中国公司能够成功量产 EUV 光刻机，全球芯片产业的竞争格局将彻底改变，当前的‘芯片争夺战’也将随之迎来转折点。”
声明：本文由电子发烧友整理，转载请注明以上来源。如需入群交流，请添加微信elecfans999，投稿爆料采访需求，请发邮箱huangjingjing@elecfans.com。