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从微观视角看崩边:裂纹是如何产生、扩展和终止的?

从微观视角看崩边:裂纹是如何产生、扩展和终止的? 长沙光祺电子
2026-04-20
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导读:在显微镜下,崩边从来不是一个“缺口”,而是一场微观世界里的“断裂事件”。

在显微镜下,崩边从来不是一个“缺口”,而是一场微观世界里的“断裂事件”。它始于一个看不见的微裂纹,在应力的驱动下迅速扩展,最终在材料内部或边缘停下——或者,一直延伸到芯片深处,成为一颗“定时炸弹”。

崩边,是划片工序中最常见的质量问题。我们每天都在测量它、记录它、试图控制它,但真正理解它的人并不多。

崩边不是凭空出现的。它是材料在切削力作用下发生断裂的结果。裂纹从产生到扩展再到终止,遵循着一定的力学规律。理解了这些规律,我们就能从“被动测量崩边”升级到“主动控制裂纹”。

今天,让我们从微观视角,重新认识崩边。

 崩边的本质:脆性断裂

绝大多数半导体材料(硅、碳化硅、蓝宝石、玻璃)都属于脆性材料。它们的共同特点是:在受力时几乎不发生塑性变形,直接进入断裂阶段。

材料类型
塑性变形能力
断裂方式
金属(铜、铝)
韧性断裂,先变形后断裂
硅、碳化硅、玻璃
极弱
脆性断裂,直接断裂

这意味着,当划片刀的金刚石颗粒压入材料表面时,材料不会像金属那样“让开”,而是直接“裂开”。

这就是崩边的根源。

裂纹的产生:刀片与材料的“第一次接触”

应力场的形成

当金刚石颗粒以一定压力压入材料表面时,在接触点下方形成一个复杂的应力场:

应力类型
位置
作用
压应力
颗粒正下方
压缩材料
拉应力
压应力区周围
试图“拉开”材料
剪切应力
颗粒边缘
试图“错动”材料

脆性材料对拉应力最敏感。当局部拉应力超过材料的抗拉强度时,裂纹就产生了。

裂纹的两种初始形态

裂纹类型
产生位置
方向
后果
径向裂纹
颗粒正下方
垂直于表面向下延伸
向材料深处扩展,可能伤及芯片有效区域
横向裂纹
颗粒边缘下方
平行于表面向两侧延伸
向芯片边缘扩展,直接表现为崩边

划片过程中的崩边,主要是横向裂纹扩展的结果。

 裂纹的扩展:应力驱动的“奔跑”

裂纹一旦产生,并不会停在原地。在切削力的持续作用下,它会继续扩展。

裂纹扩展的驱动力

驱动力来源
产生原因
影响
切削力
刀片持续向前推进
裂纹沿切割方向扩展
残余应力
材料内部的固有应力(如氮化镓外延层)
裂纹向应力释放方向扩展
热应力
切割产生的热量导致局部膨胀
裂纹向温度梯度方向扩展
后续颗粒的冲击
后面的金刚石颗粒“接力”施压
裂纹被持续“驱动”

扩展的三种模式

模式
受力方式
在划片中的表现
张开型
拉应力垂直于裂纹面
最常见,裂纹被“拉开”
滑移型
剪切应力平行于裂纹面
裂纹面发生错动
撕裂型
剪切应力垂直于裂纹前沿
较少见

在划片中,张开型是主导模式——裂纹被拉应力“撕开”。

影响裂纹扩展距离的因素

裂纹会跑多远?取决于:

因素
影响方向
说明
切削力大小
力越大,扩展越远
进给速度越快、刀片越钝,切削力越大
材料断裂韧性
韧性越高,扩展越难
硅的断裂韧性约0.7-0.9 MPa·m¹/²,碳化硅约3-4,后者更难开裂
材料内部应力
拉应力助长扩展,压应力抑制扩展
氮化镓的高内应力是崩边严重的根源
裂纹路径上的“障碍”
晶界、掺杂区等可能阻止裂纹
单晶硅中裂纹扩展更顺畅

裂纹的终止:为什么会停下来?

裂纹不会无限扩展。在某个时刻,它会停下来。理解“为什么停”,是控制崩边的关键。

裂纹终止的四种机制

机制
原理
在划片中的表现
能量耗竭
弹性能释放完毕,不足以继续扩展
小裂纹自然停止
应力释放
裂纹扩展到达低应力区
切割道两侧的崩边通常对称且有限
遇到障碍
晶界、第二相粒子等阻碍裂纹
多晶材料中裂纹更容易停止
应力场变化
后续刀片经过改变应力分布
两步切割法就是利用这个原理

为什么“终止”比“产生”更重要?

控制崩边,有两个策略:

  1. 不让裂纹产生——最理想,但很难做到(只要在切割,就有应力)

  2. 让裂纹尽早终止——更现实,也更容易实现

这解释了为什么:

  • 细粒度刀片产生的裂纹更小,更容易终止

  • 两步切割法先切一部分,释放部分应力,第二步切割时裂纹扩展距离更短

  • 适当的切割速度让裂纹有“时间”在可控范围内终止,而不是失控狂奔

不同材料的“裂纹性格”

材料
断裂韧性
裂纹扩展特点
崩边控制策略
0.7-0.9
裂纹易产生,但扩展相对可控
常规参数即可
碳化硅
3-4
裂纹不易产生,但一旦产生扩展快
重点是“不让裂纹产生”
氮化镓(异质衬底)
取决于衬底
内应力大,裂纹易向应力方向扩展
重点是“释放应力”
蓝宝石
2-3
类似碳化硅
同碳化硅
玻璃
0.5-0.8
裂纹极易产生且扩展快
激光切割优先

一个反直觉的事实
碳化硅的断裂韧性比硅高(更难开裂),但实际切割中崩边问题更严重。为什么?
因为碳化硅的硬度太高,需要更大的切削力才能切动,这个“更大的力”抵消了高韧性的优势。

崩边是“力”与“材料抵抗能力”的博弈结果。

 从微观到宏观:崩边的四种形态

理解了裂纹的微观行为,就能理解我们看到的崩边形态:

崩边形态
微观成因
常见原因
细小均匀崩边
裂纹产生后很快终止
正常切割,工艺良好
单侧严重崩边
裂纹偏向一侧扩展
刀片偏心、材料不均匀
块状剥落
横向裂纹与纵向裂纹交汇
切削力过大、材料有缺陷
背面崩边
裂纹从正面穿透到背面
切割过深、材料太薄

 基于裂纹机理的优化策略

理解了裂纹如何产生、扩展、终止,就能有针对性地优化工艺:

策略一:减小驱动力——让裂纹“跑不动”

方法
机理
实施
降低进给速度
减小单颗金刚石的切削力
牺牲效率换质量
提高主轴转速
减小单颗金刚石的切深
与进给速度配合调整
使用更锋利的刀片
减小切入阻力
选择适当粒度和浓度的刀片

策略二:增加阻力——让裂纹“跑不远”

方法
机理
实施
两步切割
先切部分深度,释放应力
第一刀切70-80%,第二刀切穿
激光预切割
在表面形成微槽,引导裂纹
适用于超薄或高脆材料
优化切割顺序
避免应力叠加
从晶圆中心向外切割

策略三:改变应力场——让裂纹“跑偏”

方法
机理
实施
优化贴膜
提供均匀支撑
使用合适的UV膜
控制晶圆翘曲
减少初始应力
与减薄工序协同
背面保护
抑制背面裂纹
使用保护膜或涂层

崩边不是“意外”,而是必然

从微观视角看,崩边不是偶然的“意外”,而是脆性材料在切削力作用下的必然反应。

每一颗金刚石颗粒划过材料表面,都在重复着“应力集中→裂纹产生→裂纹扩展→裂纹终止”的过程。我们所做的一切工艺优化,本质上都是在控制这个过程的剧烈程度和影响范围

理解了这一点,崩边控制就不再是“碰运气”,而是一门可以系统优化的科学。


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