在全球半导体先进制程持续推进与芯片复杂度急剧攀升的产业背景下，化学机械抛光（CMP）作为0.35μm以下制程不可或缺的平坦化工艺，其核心耗材——CMP抛光液与抛光垫正从传统配套材料升级为贯穿先进逻辑、先进存储与第三代半导体制造的关键工艺材料。据QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）统计及预测，2025年全球CMP抛光液和抛光垫市场销售额已达34.39亿美元，预计2032年将攀升至52.14亿美元，年复合增长率（CAGR）为6.8%（2026-2032）。
当前，半导体制造面临多层互连步骤数增加、材料复杂度提升及缺陷容限收窄等核心痛点，受先进制程向3nm及以下节点推进与第三代半导体扩产双重驱动，CMP耗材需求结构性增长，进而推动整个产业链向低缺陷、高选择比与宽工艺窗口方向深度演进。
CMP工艺通过纳米磨料机械研磨与化学试剂的协同作用，实现晶圆表面纳米级平坦化。每片晶圆在生产过程中需经历数道乃至数十道CMP抛光步骤。上游关键原料分为三类：超高纯磨粒与分散体系（如高纯二氧化硅、氧化铈磨粒等）、配方化学品（氧化剂、络合剂、缓蚀剂、表面活性剂等）及抛光垫材料（以多孔聚氨酯体系为主）。中游slurry/pad制造商的商业逻辑高度"客户指定+验证驱动"，产品变更往往触发re-qualification，行业粘性显著。
全球核心厂商包括英特格（CMC Materials）、Resonac日立化成、Fujimi Incorporated、Qnity Electronics、Merck KGaA（Versum Materials）、富士胶片、AGC、KC Tech、JSR Corporation、安集科技、Soulbrain、圣戈班、鼎龙控股、SKC（SK Enpulse）、3M及FNS TECH等。头部企业在抛光液与抛光垫领域均具备平台化布局，受配方专利壁垒与客户验证周期影响，行业集中度维持较高水平。安集科技、鼎龙控股等中国企业在细分领域表现突出，国产替代进程持续加速。
技术演进聚焦"低缺陷+高选择比+宽工艺窗口+低总拥有成本"系统能力。 受先进逻辑与先进存储中CMP步骤数、材料复杂度及缺陷容限三重抬升影响，耗材竞争已从单点去除率转向综合性能比拼。介质/金属/阻挡层的stop-on-film与选择性控制（尤其oxide/STI、Cu/barrier、W等多场景）成为技术核心，同时与post-CMP清洗/过滤/监控协同降低颗粒、金属残留与有机残留。
产品结构以300mm晶圆为主力，碳化硅及氮化镓半导体构成重要增量。 按晶圆尺寸划分，300mm晶圆占据最大市场份额，受先进制程扩产驱动需求持续释放。按半导体材料划分，硅基半导体仍为绝对主力，碳化硅及氮化镓半导体受益于第三代半导体与功率器件放量，CMP耗材需求加速增长。按工艺流程划分，集成电路制作与半导体硅片及碳化硅衬底制造构成两大核心应用。
供给侧趋势向一体化方案与区域化供应链演进。 头部厂商正从单一耗材供应商向"slurry+pad+clean+filter"一体化方案服务商转型，通过与客户深度协同构建全链条竞争优势。区域化与韧性供应链在大厂采购策略中权重持续提升，东南亚与印度市场受封测产能转移驱动，CMP耗材需求逐步释放。
