相比于传统的蓝宝石衬底，硅衬底LED不仅在生长时，衬底成本远低于蓝宝石材料，而且可以采用化学腐蚀的方法来剥离衬底，在效率和良率上，都远高于必须采用激光剥离方法的蓝宝石衬底，从而得到高质量、低成本的垂直结构芯片；单面出光的垂直结构芯片结合白光芯片工艺，一方面减小发光面积(Lighting Emitting Surface)，另一方面达到更高的性能，包括光通量的提高，芯片表面颜色均匀性(Color over Surface)的提高和轴向光比例的增加，为高品质照明提供了无限的可能。利用硅衬底LED芯片，可实现照明品质更佳、系统成本更低、设计方案更灵活、更具创新性的LED照明解决方案。
车前大灯照明主要是以大功率LED为主，目前大功率的LED主要分为两大类，垂直结构芯片和倒装芯片。
对于车灯（包括摩托车灯）相关应用，由于设计空间非常有限，设计的趋势是光学口径越来越小；同时，由于电动车的逐渐推广，对整灯的能耗要求也越来越严，期望一方面尽可能降低整灯的能耗，另一方面，尽可能提高灯的中心光强。因此，由式(1)可知，对光源的出光面积要求也同样是越来越小。这时，硅衬底LED的垂直结构，其单面高密度出光的优势就变得非常明显。
LED Etendue = ALED*ΩLED=System Etendue = Optics Aperture*Solid Angle。式(1)
图10是一个硅衬底LED应用于电动摩托车的具体案例，透镜的光学口径仅有40mm*40mm，远近光模组分别使用2颗2016封装的大功率LED。
图11是分别使用硅衬底LED芯片五面和倒装芯片近光模组的模拟结果，图12是分别使用硅衬底LED芯片五面和倒装芯片的远光模组的模拟结果，可以看到采用单面发光的硅衬底LED芯片，有更清晰的截止线，更准确的光形。表2是中心光强的设计对比与实测分析，可以看到，应用单面出光的硅衬底LED，在光通量相同的情况下，中心光强比五面倒装芯片的中心光强要高50%以上。
综上所述，利用硅衬底LED单面出光的特性，车灯模组将具有明显的优势：
(a) 更清晰的截止线，更准确的光型。近光更安全，远光照射距离更远。
(b) 更高的效率，相同光通量下，中心光强比蓝宝石倒装芯片约50%。
(c) 更好的可靠性，硅衬底LED良好的导热导电能力是可靠性的保证。