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中共南昌市委、南昌市人民政府贺信

中共南昌市委、南昌市人民政府贺信 晶能光电
2016-01-11
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导读:1月8日,国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行,由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶

1月8日,国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行,由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”荣获国家技术发明一等奖。为此,南昌市委、市政府特发来贺信,贺信全文如下:

贺信

南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司:

  欣闻你们联合申报的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”成果获得2015年度国家技术发明奖一等奖,为全市赢得了荣誉。市委、市政府向你们以及以江风益、孙钱、王敏同志等为代表的科研团队,表示热烈祝贺!

  LED产业是我市重点扶持和打造的战略性新兴产业,近年来取得了丰硕的成果。硅衬底LED技术从南昌大学诞生,经晶能光电(江西)有限公司投巨资研发并产业化和中节能晶和照明有限公司的应用推广,已经成为全球第三条蓝光LED技术路线。此次获奖,是我市建国以来在科技创新领域取得的巨大成就,为我市LED领域的科技进步及全市科技和经济发展作出了重大贡献。

  当前,省委、省政府决定打造“南昌光谷”,我市LED产业迎来了历史性发展契机。希望你们以荣获国家技术发明奖一等奖为契机,进一步加大科技创新力度,加快硅衬底LED技术市场化进程,全面提升产品品牌价值,为推动我市产业转型升级、引领“南昌光谷”建设作出新的更大贡献。

中共南昌市委

南昌市人民政府

2016年1月8日


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晶能光电
晶能光电是全球硅衬底GaN技术的领导者之一,于全球率先实现了硅衬底GaN技术在LED领域的产业化和应用,是具有底层芯片核心技术的全产业链IDM半导体光电器件提供商,获得2015年度国家技术发明奖一等奖和第四届中国质量奖提名奖。
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晶能光电 晶能光电是全球硅衬底GaN技术的领导者之一,于全球率先实现了硅衬底GaN技术在LED领域的产业化和应用,是具有底层芯片核心技术的全产业链IDM半导体光电器件提供商,获得2015年度国家技术发明奖一等奖和第四届中国质量奖提名奖。
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