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重磅!晶能光电联合创始人江风益教授当选中国科学院院士

重磅!晶能光电联合创始人江风益教授当选中国科学院院士 晶能光电
2019-11-22
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导读:我国LED照明领域的又一件大喜事。​

11月22日,中国科学院公布了2019年新增院士名单,晶能光电联合创始人、南昌大学副校长江风益教授当选中国科学院院士,这是继硅衬底LED技术获得2015年国家技术发明奖一等奖之后,我国LED照明领域的又一件大喜事。

早在1997年,江风益教授便开始了LED技术的研究工作,但不满足于跟踪模仿,2003年江风益教授率领团队开始研究在硅衬底上生长氮化镓LED材料,2005年取得重大技术突破,并在2006年和王敏等人引进风险投资共同创立了晶能光电,在全球率先实现了硅衬底蓝光LED大规模产业化。2015年国家技术发明奖一等奖花落硅衬底LED技术,奠定了我国在全球硅衬底LED技术领域的主导地位。

晶能光电硅衬底蓝光LED技术拥有自主知识产权,可大功率大电流驱动,单面出光方向性好,散热好可靠性高,在大功率照明领域如汽车照明、手机闪光灯、高端移动照明等领域具有广泛的应用,成功实现进口替代,出货量均位居行业前列,历经十三年的迭代升级,产品性能与国际大厂并跑

现在,由硅衬底LED蓝光技术已催生了一条以晶能光电-晶能半导体-中节能晶和照明-绿野汽车照明为主力企业的硅衬底LED产业链,并且在江西省政府打造南昌光谷、建设千亿产业基地的政策红利下,吸引了越来越多的LED企业,如中微半导体、鸿利光电、兆驰光电、乾照光电、易美芯光等企业落户南昌,在南昌形成了拥有完整自主知识的LED产业集群。

硅衬底LED技术远远不止于蓝光LED,以硅衬底LED蓝光技术为基础,可扩展至紫外、黄绿光、电子器件等领域。晶能光电已成功开发出了国内领先的硅衬底紫外LED光源,大量应用于在工业固化(油墨、印刷等)、美甲、诱蚊等领域,在国内出货量也位居前列。在前沿技术领域,晶能光电将大尺寸硅衬底LED技术的优势延伸至Micro LED和氮化镓电子器件,特别是氮化镓电子器件,在材料外延领域处于国内领先。同时江风益教授团队的硅衬底LED黄绿光技术水平处于世界领先水平,技术成果获得包括诺贝尔物理学奖获得者中村修二等国际权威的认可。

可以想象,硅衬底LED技术是一项根技术,可以覆盖紫外、蓝光、绿光、电子器件等各项分支技术,由各项分支技术可催生出多链产业,不断开枝散叶,茁壮成长。晶能光电CEO王敏对此非常有信心,并表示:江风益教授当选院士是LED行业的喜事,我们也将一如既往地深入硅衬底LED技术的发展。未来五年,通过技术开放、基金支持、筑巢引凤,以硅衬底LED技术为基础,硅衬底LED产业将吸引并孵化上百家企业,在南昌形成300亿元规模的高端特种照明产业集群。

(文章转载自:LEDinside)


晶能光电简介
     晶能光电成立于2006年2月,是由金沙江创投、淡马锡、亚太资源、顺风国际等知名投资商共同投资,专注于LED技术和产品开发与生产的高科技企业,全球硅衬底LED技术的主导者。自主创新的硅衬底LED技术在全球申请或拥有350多项专利,获得2015年度国家技术发明奖一等奖,是全球第三条蓝光LED技术路线。公司致力于为全球消费者提供全方位的高端LED照明产品和解决方案。

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晶能光电
晶能光电是全球硅衬底GaN技术的领导者之一,于全球率先实现了硅衬底GaN技术在LED领域的产业化和应用,是具有底层芯片核心技术的全产业链IDM半导体光电器件提供商,获得2015年度国家技术发明奖一等奖和第四届中国质量奖提名奖。
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晶能光电 晶能光电是全球硅衬底GaN技术的领导者之一,于全球率先实现了硅衬底GaN技术在LED领域的产业化和应用,是具有底层芯片核心技术的全产业链IDM半导体光电器件提供商,获得2015年度国家技术发明奖一等奖和第四届中国质量奖提名奖。
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