MOS场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件，和双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小等特性。
其主要的参数特性如下：
1 绝对最大额定值
任何情况下都不能超过。
2 额定电压
（1） VDSS ：漏极（D）与源极（S）之间能施加的最大电压。
（2）VGSS：栅极（G）与源极（S）之间能施加的最大电压。
3 额定电流
ID：漏极允许通过的最大电流。
ID（Pulse）：漏极允许通过的最大脉冲电流。
（受脉冲宽度和占空比限制）
4 额定功率
Ptot：产品所能承受的最大功耗。
有两种：
Tc=25℃，加散热板，产品壳温：图1
Ta=25℃，不加散热板，环境温度：图2
5 额定温度
（1）Tj（Tch）: MOSFET的沟道结温。
（2）Tstg: 存储温度范围。
6 热阻
表示器件热传导的难易程度。热阻越小，散热性能越好。
一般有两种：
（1）Rth（ch-c）：沟道/封装之间的热阻
（2）Rth（ch-a）：沟道/周围环境之间的热阻抗
7 安全工作区SOA（Safe Operating Area）
红线：RDS(ON)= VDS / ID
蓝线：最大单次脉冲电流限制
绿线：VDS最大电压限制
黄线：不同的单脉冲宽度功率限制
8 雪崩能量
（1）单发雪崩能量EAS∶一次性雪崩所能承受的能量；
（2）连续雪崩能量EAR∶所能承受的反复出现的雪崩能量。
9 怎样选择MOSFET的额定值？
（1）器件的额定电压值应高于实际最大电压值20%；
（2）电流值应高于实际最大电流值的20%；
（3）功耗值应高于实际最大功耗的50%；
（4）实际沟道温度不应超过125℃。
10 MOS器件应用方面，应考虑：
（1）负载电流IL。它决定了MOSFET的输出能力；
（2）输入——输出电压。它受MOSFET负载占空比限制；
（3）MOS开关频率。它影响MOSFET开关时的耗散功率；
（4）MOSFET最大允许工作温度；
（5）低的导通电阻，能够减小损耗，并能较好的工作；
（6）散热；
（7）MOSFET组合用，两个较高RDS（ON）器件并联，可降低成本。