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我司SEM-FIB设备完成调试并对外开放

我司SEM-FIB设备完成调试并对外开放 芯辰半导体
2024-08-16
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导读:芯辰半导体(苏州)有限公司的SEM-FIB设备近日完成调试,有部分机时对外开放,欢迎送样测试!

芯辰半导体(苏州)有限公司的SEM-FIB设备近日完成调试,有部分机时对外开放,欢迎送样测试!

我司的SEM-FIB设备是Thermoscientific公司的Scios 2机型,采用DaulBeam系统,能为包括磁性和非导电材料在内的各种样品提供出色的样品制备和三维表征性能。该设备不仅在高电压下提供高分辨率成像和铣削,而且还有不错的低电压性能,能够创建高质量TEM薄片样品。

具体性能参数如下:

电子束分辨率

最佳工作距离

30keV(STEM)下,为0.7nm

1keV 下,为1.4nm


电子束参数空间
电子束电流范围:1pA-400nA
速电压范围: 200V-30kV
最大水平场宽:7mm工作距离下为3.0mm,在60mm工作距离下为7.0mm

离子光学系统

速电压:500V-30kV

离子束分辨率:使用选择边缘方法时,30kV时为3.0nm


载物台和样品

XY范围:110mm
Z范围:65mm
旋转:360°(无穷)
斜范围:-15°至﹢90°
大样品高度:距共心点85mm
最大样品重量(0°倾斜时):2kg(含样品支架)
大样品尺寸:直径为110mm时,全方位旋转(若样品超过此限值,则旋转受限)

以下图1为设备照片,图2为操作员作业照片,图3SEM示例照片,图4为用FIBTEM样品示例照片。

1 SEM-FIB设备照片

2 操作员作业照片

3 SEM示例照片(VCSEL氧化区域)

4 FIBTEM波片样品


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