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身处新能源时代,不得不提到当下最热门的新能源汽车行业,其全球市场的成长空间巨大,促使功率器件的需求量日益增加。新能源汽车中用于电机驱动系统主逆变器中的功率器件,其为导电型碳化硅(SiC)衬底外延碳化硅(SiC)生产功率器件,能够显著降低电力电子器件的体积、重量和成本,同时提高了功率密度,这对提高电动汽车、电动汽车充电和能源基础设施的效率至关重要。而半绝缘型碳化硅(SiC)衬底用于氮化镓外延,具有非常高的热导率,生产射频器件用于5G通信、航空航天、国防军工等领域。
SiC的禁带宽度是硅(Si)材料3倍以上,可承受其10倍以上的击穿电压。碳化硅衬底是最为核心环节,由碳化硅(SiC)粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。SiC晶体的硬度高,仅次于金刚石,化学性质十分稳定,常温下SiC与其他物质难于发生化学反应。CMP中的粗抛和精抛是影响SiC衬底加工效率和表面质量的关键步骤,因此,CMP材料品质的选择是十分重要的。
我司研制生产的COPOL抛光液系列,用于碳化硅衬底粗抛、精抛加工。其中COPOL-232粗抛液采用纳米级磨料,具有分散性好,去除速率高,加工后衬底表面无划伤,良率高等特点。
此外,我司为客户提供抛光液定制化服务,同时搭配使用我司的抛光垫,为客户提供稳定高效,安全可靠的CMP材料整体解决方案。
欢迎对SiC CMP材料有需求的客户及合作伙伴洽谈合作!
合作请垂询:17717415367
苏州博来纳润电子材料有限公司
为半导体CMP国产化而创新
期待与您的合作!
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