随着第三代宽禁带半导体材料SiC应用的快速推进，对SiC衬底表面的加工精度和表面质量的要求越来越高。实现衬底表面原子级平整、降低表面缺陷和亚表面损伤，对于提高SiC基电子器件的性能至关重要。由于SiC作为典型的脆硬性材料，在研磨抛光过程中极易产生微裂纹、表面划痕、亚表面损伤等缺陷，所以精抛作为SiC衬底加工的最后一道抛光工序，对表面质量具有决定性的作用。因SiC具有很高的化学惰性和材料硬度，而精抛液相对温和的化学作用以及所用硅溶胶磨料的低材料硬度，精抛的加工效率和去除速率均较低。

博来纳润COPOL-136是一款A、B双组分构成的精抛液，搭配绿色环保的双氧水（H₂O₂）混合均匀后使用。其采用高度分散的平均粒径为100nm的硅溶胶作为磨料，在快速提高抛光去除速率的同时不会造成表面划伤及亚表面损伤。

COPOL-136的基本物性参数如下：

COPOL-136的使用参数及相关抛光表现如下：

COPOL-136在上述工艺条件下，Si面的去除速率可达到132nm/h，抛光后衬底表面的粗糙度可降低至0.06nm。与市场上常用的精抛液Fujim*09*相比，COPOL-136连续抛光6小时后速率可维持在122.7nm/h，具有更高的抛光速率以及更优异的稳定性，能够有效减短加工时长，提升效率。

COPOL-136搭配阻尼布精抛垫DPN-50W在不同的压力条件下抛光速率可大幅度提升，抛光压力分别为200g/cm²和300g/cm²时，Si面的去除速率可达到194.5nm/h和246.7nm/h。同时抛光后衬底表面的粗糙度低、表面缺陷少、易清洗、产品良率高。

搭配DPN-50W的数据

另外，我司可以根据客户不同工艺需求提供定制化服务，同时可为客户的CMP工艺提供专业化技术诊断和支持。欢迎对碳化硅精抛液有需求的伙伴洽谈合作，请call小润：19921377278