SiC单晶作为第三代半导体材料的典型代表，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等优点，是新能源汽车、光伏和5G通讯等急需的战略性半导体材料，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。随着SiC的应用和发展逐步广泛和深入，其加工精度要求日益增长。SiC具有很高的化学惰性和热稳定性，衬底表面平坦化的加工效率、去除速率低；同时SiC作为典型的脆硬性材料，在平坦化加工过程易产生微裂纹，表面划痕、亚表面损伤缺陷增多。
目前氧化铝抛光液常用于碳化硅衬底双面CMP，市面上的氧化铝抛光液主要有DSC-2**、AT-2**、SN12**系列产品，其磨料粒径在300-400纳米左右，具有抛光去除速率快、去除速率稳定等特点，但抛光后表面良率偏低，相应后道的Si面CMP的加工时间较长。因此提高SiC衬底的平坦化加工效率、减少工序、保证表面质量尤为关键。
COPOL-236使用经特殊分级处理的160纳米的氧化铝作为磨料，其粒度分布窄、分散性和均一性好，在抛光过程不易团聚造成表面损伤，具有优异去除速率的同时，可获得低表面粗糙度，高表面质量的碳化硅晶圆，极大提高加工效率。
COPOL-236的基本物性参数如下：
COPOL-236的使用参数及相关抛光表现如下：
一
优异的抛光速率和稳定性
COPOL-236搭配Suba-8**抛光垫，Si面的抛光速率可达到1.2μm/h，连续抛光5h后速率仍维持在1.1μm/h。与市场上常用氧化铝抛光液Ferr*SN125**以及Ferr*SN135**相比较，COPOL-236兼具更优异的抛光速率和稳定性。
二
表面质量更优
相较于Ferr*SN125**以及 Ferr*SN135**抛光后的表面质量，得益于较细且分布均匀的氧化铝磨料，COPOL-236抛光后Si面的粗糙度可降低至0.06nm以下，抛光过程不易造成表面划伤、良品率更高，表面质量更优。
三
搭配NWS-85抛光速率更高
COPOL-236分别搭配Suba-8**和NWS-85抛光垫进行抛光测试，搭配NWS-85抛光垫的Si面的抛光速率可达1.7μm/h，连续抛光5h之后抛光速率维持在1.55 μm/h。说明COPOL-236和NWS-85匹配性较好。
另外，我司还可以根据客户不同的工艺需求提供定制化服务，同时可为客户的CMP工艺提供专业化技术诊断和支持。欢迎对碳化硅粗抛液有需求的伙伴洽谈合作，请call小润：19921377278
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