之前介绍过硅片抛光过程中精抛工艺所使用的阻尼布抛光垫，本期我们为大家带来粗抛用无纺布抛光垫，无纺布抛光垫是将合成纤维构成的无纺布作为基材浸润在聚氨酯溶液中，再经湿式凝固和干燥，最终得到的一种复合抛光垫。其硬度介于聚氨酯抛光垫和阻尼布抛光垫之间，抛光过程中在维持高接触面的同时也能提供一定的刚性。无纺布抛光垫内部的纤维结构呈三维贯通状，更有利于抛光液的储存和流动，最终实现对抛光工件的高去除并满足平坦化需求。

目前市面上硅片粗抛垫以杜邦的SUBA系列为主，国产抛光垫在这一方面几乎空白，其主要原因是寿命无法满足客户要求。粗抛工艺使用的抛光液也是氧化硅体系，随着抛光时间的延长，氧化硅在抛光垫内部沉积，堵塞了纤维孔隙，使得垫子携带抛光液的能力下降，从而造成抛光效果不达标。因此抛光垫内部的孔隙结构是直接影响抛光垫使用寿命的关键指标。对此，我司采用特殊合成工艺，在产品的基础物性和竞品相当的同时，抛光垫内部保持较好的内部孔隙结构，从而延长使用寿命。

NWD-80的物性参数如下：

NWD-80的微观结构示意图：

我司产品NWD-80和市售产品SUB*6**的物性参数以及微观结构图片对比，物性参数和SUB*6**相当；从产品的断面SEM图片可以看到两款产品都有很明显的纤维网状结构，压缩率与压缩弹性率相当。

可根据客户需求开不同规格方格槽，不同沟槽类型，提供专用背胶（易剥离、无残胶）。

NWD-80应用于硅晶圆CMP，测试抛光垫的使用寿命，抛光工艺参数如下：

分别使用NWD-80、SUB*6**、，搭配我司自制抛光液SIPOL-141D，在相同工艺下进行抛光测试，抛光速率在700 nm/min左右，且在80h内都能保持较好的稳定性。

抛光后硅片的TTV小于3μm，均值在1.7-1.8μm，STIR小于1μm，均值0.6μm，满足客户端应用要求。

NWD-80在客户端测试，验证抛光垫的使用寿命，抛光参数如下：抛光机台：1420mm，抛光对象：8寸硅晶圆，抛光时间4000 min。

将NWD-80应用于硅晶圆CMP搭配SUB*6*使用，与SUB*8**搭配SUB*6**相比，我司抛光垫NWD-80搭配SUB*6**在0-3000 min的抛光速率更为稳定，3000-4000 min的抛光垫去除速率与SUB*8**搭配SUB*6**方案相当。

通过验证测试发现，我司抛光垫去除速率和使用寿命与竞品相当。

第七届中国（上海）国际发明创新展览会上，我司无纺布抛光垫荣获银奖。

博来纳润长期致力于半导体CMP材料的国产化替代，硅衬底CMP用无纺布抛光垫的产业化应用，对半导体行业具有“补链”的和解决“卡脖子”的重大意义，为产业技术升级和产业转型提供示范和引领作用。